Firma Toshiba zaprezentowała nową rodzinę tranzystorów MOSFET o bardzo wysokiej sprawności i dużej szybkości. Dzięki zastosowaniu autorskiej technologii Toshiby U-MOSVIII-H możliwe stało się zmniejszenie iloczynu rezystancji w stanie włączenia (Rds) i pojemności wejściowej (Ciss) o 42% w porównaniu do poprzedniej rodziny tych tranzystorów. Pozwala to zminimalizować emitowane zakłócenia oraz zwiększyć sprawność dzięki jednoczesnej poprawie szybkości pracy oraz obniżeniu strat upływności i przełączania. Nowa seria tranzystorów jest w stanie pracować z napięciami od 60 V do 120 V i pozwoli projektantom zmniejszyć rozmiar oraz zwiększyć sprawność synchronicznych układów prostowniczych w zasilaczach impulsowych.
Pierwszymi modelami wydanymi w ramach nowej serii są TK100E08N1 oraz TK100E10N1 w obudowach TO-220, a także TK100A08N1 i TK100A10N1 w izolowanej obudowie TO-220SIS. Są one przeznaczone do stosowania w zasilaczach sieciowych i urządzeniach przemysłowych zasilających serwery i systemy telekomunikacyjne.
Dla tranzystorów MOSFET TK100x08, typowa rezystancja w stanie włączenia wynosi 2.6 mΩ, a typowa pojemność wejściowa 9100 pF. Dla modeli TK100x10 wartości rezystancji to 2.8 mΩ dla obudowy TO-220 i 3.2 mΩ dla obudowy TO-220SIS. Dwa ostatnie modele mają typową pojemność wejściową 8800 pF.
Próbki nowych tranzystorów MOSFET są już dostępne, masowa produkcja rozpocznie się wkrótce.
Dystrybutorem firmy Toshiba w Polsce jest firma Future Electronics, ul. Panieńska 9, 03-704 Warszawa, http://www.futureelectronics.com.
