TE Connectivity: nowa technologia powlekania złączy

Firma TE Connectivity, specjalizująca się w rozwiązaniach dla łączności oraz czujnikach, zaprezentowała nową technologię powlekania powierzchni LITESURF. Jej celem jest minimalizacja ryzyka pojawienia się odłamków, które mogą doprowadzić do zwarcia komponentów elektronicznych i potencjalnie do awarii systemu. Nowe rozwiązanie TE wykorzystuje bizmut do łączenia dociskanych układów, zmniejszając ryzyko pojawienia się odłamków ponad 1600 razy w porównaniu do tradycyjnej technologii opartej na cynie.

Wzrastająca liczba układów elektronicznych występujących w pojazdach skłoniła producentów komponentów do łączenia płytek PCB za pomocą dociskanych złączy. Aby ułatwić wsuwanie i ochronić powierzchnie przed uszkodzeniem z powodu utleniania i innych czynników, piny są pokrywane warstwą ochronną. Tradycyjne rozwiązania tego typu obejmują użycie cyny (Sn) oraz ołowiu (Pb), jednak pod wpływem trendu rezygnacji ze szkodliwych substancji obecnie stosuje się głównie cynę.

Cyna ma jednak swoje ograniczenia, w tym ryzyko tworzenia się odprysków pod wpływem naprężenia – na przykład wciskania pinów w płytkę PCB. Odpryski te mogą stać się wystarczająco duże, aby połączyć inne metalowe komponenty i w ekstremalnych przypadkach spowodować zwarcie układów elektronicznych, a tym samym potencjalnie doprowadzić do awarii systemu. Z tego powodu producenci komponentów na rynek motoryzacji poszukują nowych alternatyw.

Producenci układów przeznaczonych dla pojazdów rozumieją korzyści ze stosowania sprawdzonych technologii pozwalających uniknąć lutowania, takich jak dociskanie – chcą jednak wyeliminować ryzyko powstawania odłamków. Technologia powlekania LITEURF wykorzystuje bizmut – nieszkodliwą substancję mającą wszystkie pożądane charakterystyki cyny, lecz bardzo ograniczająca ryzyko pojawienia się odprysków. Technologia ta możne bardzo łatwo zastąpić powlekanie cyną przy minimalnym wpływie na resztę procesu produkcji.

Więcej informacji na temat technologii powlekania LITESURF opracowanej przez TE jest dostępnych tutaj.

O autorze