Firma Infineon Technologies wprowadziła do oferty nowy układ z rodziny CoolMOS P7. Superzłączowy układ MOSFET CoolMOS7 950 V jest przeznaczony do niskomocowych rozwiązań wykorzystujących zasilacze impulsowe o wysokiej gęstości mocy. Układ spełnia najbardziej rygorystyczne wymagania projektów z takich obszarów, jak oświetlenie, inteligentne czujniki, ładowarki komórek, adaptery notebooków, zasilacze zapasowe i przemysłowe zasilacze impulsowe.
Wyróżniającą cechą układów CoolMOS P7 o napięciu znamionowym 950 V jest niska rezystancja włączenia gwarantowana przez obudowę DPAK, która pozwala na realizację projektów o wyższej gęstości mocy. Ponadto napięcie progowe Vgs równe 3 V i niski rozrzut Vgs sprawiają, że tranzystor MOSFET łatwo jest zintegrować w projekcie i wysterować. Podobnie jak w przypadku innych członków rodziny P7 w ofercie Infineon, układ ten zawiera zintegrowaną diodę Zenera chroniącą przed wyładowaniami elektrostatycznymi. Rezultatem tego rozwiązania jest wyższy uzysk montażu i tym samym niższe koszty produkcji, jak również ograniczenie problemów wynikających z występowania wyładowań elektrostatycznych na etapie produkcji.
Model CoolMOS P7 950 V pozwala uzyskać sprawność wyższą o 1% oraz temperaturę pracy niższą o 2°C do 10°C, umożliwiając tworzenie wydajnych rozwiązań. Układ ten oferuje ponadto o 58% mniejsze straty przełączania w porównaniu z poprzednimi generacjami z rodziny CoolMOS. Również w porównaniu z konkurencyjnymi technologiami dostępnymi na rynku poprawa wynosi ponad 50%.
Model CoolMOS P7 o napięciu znamionowym 950 V jest dostępny w obudowach TO0220 FullPAK, TO-251 IPAK LL, TO-252 DPAK oaz SOT-223. Pozwala to na wymianę układów przewlekanych na SMD.
Model CoolMOS P7 950 V jest już dostępny. Szczegółowe informacje znajdują się na stronie produktu.
