Pamięci pseudo SRAM Aliiance Memory zapewniają korzyści interfejsów SRAM i DRAM i dostarczają rozwiązania proste, tanie i energooszczędne. Dzięki rdzeniom DRAM z interfejsem SRAM i wbudowanym układom odświeżania, urządzenia zapewniają dużą przepustowość i niski pobór mocy. Umożliwia to zastąpienie pamięci SRAM w elektronice przenośnej, np. w smartfonach, a także zastąpienie NOR Flash. Są doskonałe do aplikacji w układach komunikacji bezprzewodowej, automotive, sieciach i przemyśle.
Pamięci dysponują przemysłowym zakresem temperatur pracy (od -30°C albo -40°C do +85°C). Oferują krótki czas dostępu (70 ns) i pracują z pojedynczym napięciem zasilania – 1,7…1,95 V albo 2,6…3,3 V. Produkowane są w 48-pinowych obudowach FPBGA o wymiarach 6,0 x 7,0 x 1,0 mm lub 49-pinowych FPBGA o wymiarach 4,0 x 4,0 x 1,0 mm.
Dostępne są pamięci o rozmiarach od 8 Mb do 128 Mb. Więcej informacji na stronie www.rutronik24.com
