Układ MMBT7002DW zawiera dwa niezależna tranzystory N-MOSFET z krótkimi czasami przełączenia w obudowie SOT-363. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 60 V, a prąd drenu wynosi 115 mA. Każdy tranzystor może być sterowany sygnałem o poziomie logicznym […]