Fujitsu zapowiada nową generację FRAM

Firma Fujitsu Electronics Europe (FEEU) ma w swej ofercie MB85RS2MTA – pierwszy produkt należący do nowej generacji pamięci FRAM, mniejszych od poprzedników . Wprowadzenie tych pamięci otwiera nowe możliwości: FEEU jest w stanie stworzyć przystępne […]

Pamięć Samsung eUFS – więcej, szybciej, oszczędniej

Firma Samsung Electronics rozpoczęła masową produkcję układu pamięci eUFS (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB (gigabajtów), przeznaczonego do urządzeń przenośnych następnej generacji. Pamięć wykorzystuje najnowsze, 64-warstwowe układy V-NAND Samsunga o pojemności 512 Gb […]

Nowe dyski korporacyjne 10 TB od Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH (TEE) przedstawia serię MG06, obejmującą dyski korporacyjne HDD o wysokiej pojemności 10 TB. Nowa seria MG06 firmy Toshiba oferuje pojemność o 25 procent większą w porównaniu z poprzednią generacją, serią MG05, […]

Niskonapięciowa pamięć Quad Flash Microchip

Firma Microchip przedstawiła nową pamięć SuperFlash z interfejsem szeregowym Quad I/O. Model SST26WF064C jest niskonapięciowym układem o pojemności 64 megabitów. Pamięć wykorzystuje technologię DTR (podwójną szybkość transferu) oraz autorskie rozwiązanie SuperFlash NOR Flash, dzięki którym […]

Nowe dyski SSD firmy Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH zapowiedziała nową serię SG6 najnowszych dysków klienckich SSD Toshiba, które mają być wyposażone w 64-warstwową pamięć BiCS FLASH z komórkami zapisującymi 3 bity informacji TLC (ang. Triple Level Cell), aby oferować […]