Współczesne tranzystory używane powszechnie w układach scalonych są oparte na materiałach półprzewodnikowych, najczęściej krzemie. Jednak wraz ze wzrostem zapotrzebowania na układy elektroniczne w laptopach, tabletach i smartfonach, poszukiwane są nowe metody taniego wytwarzania tranzystorów, […]
Tranzystory CoolMOS P7 w ekonomicznej obudowie SOT-223
Firma Infineon Technologies rozszerzyła ofertę swych niedawno wprowadzonych tranzystorów superzłączowych CoolMOS P7 o wersje w obudowie SOT-223. Układy zostały zaprojektowane tak, aby mogły bezpośrednio zastąpić modele w obudowach DPAK – są z nimi całkowicie kompatybilne […]
Tranzystory mocy MOSFET: zrozumieć proces włączania
Pytanie „jak włączyć MOSFET” może wydawać się trywialnie – to właśnie łatwość przełączania tranzystorów polowych jest ich główną zaletą.
Tranzystory MOSFET StrongIRFET w nowej obudowie
Firma Infineon Technologies uzupełniła swa ofertę StrongIRFET o tranzystor MOSFET o napięciu znamionowym 40 V, który mieści się w obudowie D2PAK 7pin+. Nowa rodzina układów MOSFET charakteryzuje się bardzo niską rezystancją włączenia RDS(on) równą 0,64 […]
Wykorzystanie MOSFET na węgliku krzemu w trybie quasi-rezonansowym do zmniejszenia kosztów i rozmiarów pomocniczych zasilaczy
Wykorzystanie MOSFET na węgliku krzemu w trybie quasi-rezonansowym do zmniejszenia kosztów i rozmiarów pomocniczych zasilaczy Przetwornica wykorzystywana w systemach przemysłowych, takich jak inwertery fotowoltaiczne, zasilacze awaryjne (UPS) czy napędy silników przemysłowych, zazwyczaj wymaga pomocniczego źródła […]
Nowe układy MOSFET odporne na promieniowanie
Firma IR HiRel należąca do Infineon Technologies wprowadziła pierwsze n-kanałowe tranzystory MOSFET odporne na promieniowanie, oparte na autorskiej technologii R9. W porównaniu do poprzednich technologii, zastosowanie tego rozwiązania zapewnia mniejsze rozmiary i wagę układu oraz […]
Ideal Power wyprodukował pierwsze dwustronne układy mocy B-TRAN
Firma Ideal Power, zajmująca się rozwojem innowacyjnych technologii oszczędzania energii, ogłosiła ukończenie produkcji prototypowych symetrycznych tranzystorów bipolarnych (B-TRAN). Układ Ideal Power został wyprodukowany przez firmę przez partnerską i jest chroniony ponad 20 patentami, w tym […]
Tranzystory OptiMOS 5 – niższa rezystancja włączenia i ładunek przejściowy
Firma Infineon Technologies wprowadziła serię tranzystorów OptiMOS 5 o napięciu znamionowym 150 V. Stanowi ona kontynuację wysokiej klasy rodziny tranzystorów mocy MOSFET OptiMOS 5. Nowa seria o napięciu znamionowym 150 V jest przeznaczona do wymagających […]
Nowe rozwiązanie Silicon Labs dla przekaźników półprzewodnikowych (SSR)
Firma Silicon Labs wprowadziła serię innowacyjnych izolowanych sterowników tranzystorów polowych (FET) opartych na technologii CMOS. Są to sterowniki, które pozwalają projektantom wybrać masowo produkowane i dedykowane różnym zastosowaniom tranzystory FET, aby zastąpić stare przekaźniki elektromechaniczne […]
Fairchild wprowadza rodzinę tranzystorów MOSFET SuperFET III
Firma Fairchild Semiconductor, teraz należąca o ON Semiconductor, wprowadziła rodzinę n-kanałowych tranzystorów MOSFET o nazwie SuperFET III. Jest to nowa generacja tranzystorów MOSFET o napięciu znamionowym 650 V, która pozwala uzyskać wyższą gęstość mocy i […]