Firma Toshiba zapowiedziała najnowszą generację swoich trójwymiarowych pamięci Flash o strukturze warstwowej – BiCS FLASH. Układy te wykorzystują trzybitowe komórki (tripple-level cell, TLC), uzyskując pojemność do 256 gigabitów (32 gigabajtów). Osiągnięcie takiej wartości świadczy, jak duże są możliwości autorskiej architektury opracowanej przez Toshibę. Firma będzie nadal rozwijać rodzinę BiCS FLASH. Kolejnym krokiem milowym jest zaplanowany układ o pojemności 512 gigabitów (64 GB), z sześćdziesięcioma czterema warstwami.

Nowy układ jest następcą modelu BiCS FLASH z czterdziestoma ośmioma warstwami. Najnowszy proces, który pozwolił umieścić 64 warstwy jedna na drugiej, zapewnia wzrost pojemności o prawie 40% w stosunku do procesu 48-warstwowego. Oznacza to również obniżenie kosztu pojedynczego bitu i zwiększa pojemność pamięci w odniesieniu do jednego wafla krzemowego. 64-warstwowa pamięć BiCS FLASH spełni wysokie wymagania wydajności. Nowe układy będą wykorzystane w użytkowych i profesjonalnych dyskach SSD, smartfonach, tabletach i kartach pamięci.

Od momentu przedstawienia pierwszego prototypu pamięci flash 3D w czerwcu 2007 roku Toshiba wciąż rozwija tą technologię. Firma aktywnie promuje układy BiCS FLASH, które są w stanie zaspokoić potrzebę uzyskania większej pojemności przy mniejszym rozmiarze układu.

Toshiba będzie produkować nowe 64-warstwowe pamięci BiCS FLASH w niedawno oficjalnie otwartej, nowej fabryce nr. 2 w zakładach Yokkaichi Operations. Rozpoczęcia masowej produkcji 64-warstwowych kości BiCS FLASH jest planowane na pierwszą połowę 2017 roku.