Dialog Semiconductor wchodzi na rynek układów zasilania GaN

Firma Dialog Semiconductor, dostawca układów zasilania o wysokim stopniu integracji, zasilaczy AC/DC, układów oświetlenia z ciała stałego (SSL) i rozwiązań Bluetooth Low Energy, zaprezentowała pierwszy układ zasilania oparty na azotku galu w swojej ofercie. Układ został wykonany w procesie technologicznym GaN opracowanym przez Taiwan Semicondcutor (TSMC), a jego napięcie znamionowe to 650 V.

Układ SmartGan DA8801 stanowi optymalne, monolityczne połączenie tranzystorów mocy FET wykonanych z arsenku galu (GaN) i analogowych sterowników oraz  układu logicznego. Jest to wydajny półmostek o napięciu znamionowym 650 V.

Układ DA8801 wraz z opatentowaną przez Dialog technologią kontrolerów zasilania Rapid Charge pozwala na tworzenie mniejszych, bardziej sprawnych adapterów wydzielających mniejszą moc w porównaniu do tradycyjnych rozwiązań opartych na krzemowych tranzystorach FET używanych obecnie. Dialog kieruje swą ofertę produktów GaN na rynek szybkich ładowarek do smartfonów i adapterów zasilaczy komputerowych, gdzie już ma ponad 70% udziału w rynku dzięki swym kontrolerom zasilania.

Znakomite parametry tranzystorów GaN pozwalają spełnić oczekiwania dzisiejszego rynku u zaoferować adaptery bardziej kompaktowe i o wyższej sprawności. Bazując na sukcesie swych układów zarządzania zasilaniem (PMIC) opartych na rozwiązaniu BCD, Dialog Semiconductor chce jako pierwszy wprowadzić innowacyjne układy GaN do zasilaczy produkowanych masowo na rynek konsumencki.”

Technologia GaN pozwala tworzyć najszybsze na świecie tranzystory, co umożliwia realizację zasilaczy o wysokiej częstotliwości pracy i sprawności. Układ półmostka Dialog DA8801 zawiera zintegrowane bloki, takie jak sterowniki bramek czy układy przesuwające poziom napięcia. Dzięki zastosowaniu przełączników o napięciu znamionowym 650 V możliwa była realizacja zoptymalizowanego rozwiązania, które obniża straty mocy do 50% – maksymalna sprawność wynosi 94%. Oferowany układ pozwala na prostą integrację technologii GaN, bez tworzenia złożonych obwodów potrzebnych do obsługi dyskretnych przełączników mocy GaN.

Nowa technologia pozwala zmniejszyć wymiary układów mocy nawet o 50%, dzięki czemu adapter o mocy 45 W może osiągnąć rozmiar obecnego adaptera 25 W lub mniejszego. Takie zmniejszenie urządzeń pozwoli zrealizować praktyczne uniwersalne ładowarki dla telefonów komórkowych.

Próbki układu DA8801 będą dostępne w 4. kwartale 2016 roku. Więcej informacji o układzie można znaleźć na stronie produktu.