Nowa oferta wysokiej klasy produktów obejmuje profesjonalne dyski SSD o pojemności 32 TB z interfejsem SAS, niezwykle lekkie SSD 1 TB w obudowie BGA oraz dysk Z-SSD o wysokiej wydajności. Produkty te są odpowiedzią na rosnące potrzeby dużych systemów danych, systemów chmurowych i analizy w czasie rzeczywistym.

Samsung wprowadził następną, czwartą generację pamięci Flash, które teraz zawierają aż 64 warstwy trzypoziomowych komórek V-NAND, co zwiększa możliwości skalowania pamięci NAND, ich szybkość i pojemność. 64 warstwy komórek pozwoliły uzyskać gęstość zapisu jednej kości V-RAM na poziomie 512 Gb, a szybkość transferu wyniosła 800 Mb/s. To osiągnięcie stanowi kontynuację postępów Samsunga w rozwoju trójwymiarowych struktur NAND. W sierpniu 2013 roku Samsung jako pierwszy wprowadził trzy generacje pierwszych na rynku produktów V-NAND zawierające 24, 32 i 48 warstw komórek.

Samsung planuje wprowadzenie pierwszych na świecie produktów opartych na 4 generacji pamięciach V-NAND Flash w czwartym kwartale tego roku. Nowe produkty pozwolą producentom tworzyć szybsze, mniejsze i przenośne komputery, jednocześnie zapewniając użytkownikom szybszy czas odpowiedzi.

W ofercie firmy znalazł się też dysk Z-SSD, najnowszy dysk SSD z interfejsem SAS –rozwiązanie o parametrach niespotykanych wśród nośników Flash.

urządzenie to jest największym w historii pojedynczym dyskiem, jaki kiedykolwiek ukazał się na rynku. Jest on oparty na kościach V-NAND o pojemności 512 Gb. W sumie 512 takich kości zostało ułożonych w 16 warstwach, tworząc jednostki o pojemności 1 TB – cały dysk SSD o pojemności 32 TB składa się z 32 takich jednostek.

Wykorzystując kości V-NAND 4 generacji, dysk SSD SAS o pojemności 32 GB może zmniejszyć ilość miejsca potrzebnego na magazynowanie danych nawet 40 razy – w porównaniu do analogicznego systemu używającego dwóch szaf wypełnionych dyskami twardymi (HDD). Nowy model SSD SAS 32 TB będzie umieszczony w obudowie 2,5 cala, a jego produkcja rozpocznie się w 2017 roku. Samsung przewiduje również, że dyski SSD o pojemności ponad 100 TB pojawią się do roku 2020 dzięki ciągłemu udoskonalaniu technologii V-NAND.

Samsung opracował również dysk SSD o pojemności 1 TB mieszczący się w kompaktowej obudowie typu BGA. Zawiera ona wszystkie potrzebne elementy SSD, w tym trzypoziomowe komórki Flash V-NAND, pamięć DRAM LPDDR4 i kontroler zaprojektowany przez Samsunga.

Układ ten zapewni wysokie parametry – odczyt sekwencyjny z szybkością do 1500 MB/s i zapis sekwencyjny o szybkości do 900 MB/s. Zmniejszenie rozmiaru układu o prawie 50% w stosunku do poprzedników sprawia, że dysk SSD waży tylko gram – mniej, niż moneta. Jest to idealne rozwiązania dla notebooków, tabletów i urządzeń hybrydowych następnej generacji.

W przyszłym roku Samsung planuje rozpocząć sprzedaż terabajtowych dysków SSD w obudowie BGA, wykorzystując technologię o dużej gęstości upakowania „FO-PLP” (Fan-out Panel Level Packaging). Została ona opracowana przez Samsung Electronics we współpracy z Samsung Electro-Mechanics.