Firma Samsung Electronics rozpoczęła masową produkcję układu pamięci eUFS (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB (gigabajtów), przeznaczonego do urządzeń przenośnych następnej generacji. Pamięć wykorzystuje najnowsze, 64-warstwowe układy V-NAND Samsunga o pojemności 512 Gb (gigabitów). Nowe moduły eUFS o pojemności 512 GB zapewniają najwyższą pojemność oraz wysokie parametry pracy. Zostały opracowane z myślą o nadchodzących flagowych smartfonach i tabletach.

Nowe pamięci składają się z ośmiu 64-warstwowych kości V-NAND o pojemności 512 Gb ułożonych jedna na drugiej oraz układu kontrolera. Dzięki temu pamięci eUFS osiągnęły pojemność 512 GB – dwukrotnie więcej, niż poprzednie, 48-warstwowe modele eUFS wykonane w technologii V-NAND, które oferują pojemność 256 GB. Zwiększona pojemność nowych modeli pozwoli zapewnić bogatsze wrażenia użytkownikom urządzeń mobilnych. Przykładowo, flagowy model smartfona z pamięcią eUFS pozwoli przechować 130 10-minutowych klipów wideo w formacie 4K (3840 x 2160). Po uwzględnieniu miejsca zajmowanego przez system operacyjny okazuje się, że na kości eUFS o pojemności 64 GB można było zmieścić jedynie 13 klipów tego samego rozmiaru, czyli 10 razy mniej.

Aby uzyskać maksymalną wydajność w stosunku do poboru mocy nowych układów eUFS 512 GB, Samsung wprowadził kilka nowych, autorskich technologii. 64-warstwowe układy V-NAND o pojemności 512 Gb oraz nowe rozwiązanie zarządzania zasilaniem zastosowane w pamięciach eUFS pozwoliły ograniczyć nieunikniony wzrost zużycia energii. Jest to szczególnie istotne, ponieważ pamięci eUFS o pojemności 512 GB zawierają dwukrotnie więcej komórek, niż pamięci 256 GB. Ponadto kontroler pamięci 512 GB pozwolił przyspieszyć proces mapowania – tłumaczenie logicznego adresu bloku pamięci na adres fizyczny bloku.

Pamięci Samsung eUFS o pojemności 512 GB oferują również wysokie szybkości zapisu i odczytu. Szybkość odczytu sekwencyjnego osiąga wartość 860 MB/s, a zapisu – 255 MB/s. Oznacza to przesłanie kompletnego wideo w jakości full HD o rozmiarze 5 GB na dysk SSD w ciągu około 6 sekund – to ponad 8 razy szybciej, niż w przypadku typowej karty microSD.

W przypadku odczytu losowego nowe moduły eUFS mogą wykonać 42.000 operacji odczytu (IOPS) oraz 40.000 operacji zapisu. Oznacza to, że zapis losowy jest około 400 razy szybszy, niż w przypadku taniej karty microSD. Pozwoli to użytkownikom telefonów komórkowych wykorzystać takie funkcje, jak szybsza rejestracja wielu zdjęć wysokiej rozdzielczości, a także wyszukiwanie plików i pobieranie wideo w dwóch aplikacjach pracujących jednocześnie.

Samsung planuje znacząco zwiększyć liczbę produkowanych 64-warstwowych układów V-NAND o pojemności 512 Gb, jak również dotychczasowych kości 256 Gb. To próba odpowiedzi na wzrost popytu na zaawansowane nośniki danych obserwowany na rynku urządzeń przenośnych, dysków SSD i kart pamięci o dużej pojemności i wysokich parametrach.