Firma Renesas Electronics ogłosiła, iż udało jej się uzyskać dużą, działającą pamięć wykonaną w technologii SG-MONOS – wykorzystującą rozszczepioną bramkę z trzema warstwami tlenku, azotku i tlenku na krzemie. Proces ten pozwolił uzyskać tranzystory 3D przeznaczone do wykorzystania w pamięciach Flash mikrokontrolerów wykonanych w rozmiarze technologicznym 14, 16 nm lub mniejszym.

Uzyskany rezultat jest wynikiem ogłoszonej w grudniu 2016 roku inicjatywy, mającej na celu stworzenie pierwszych komórek pamięci Flash SG-MONOS wykorzystujących pionowe (fin) tranzystory 3D. Renesas zaprezentował pewne działanie pamięci w dużej skali, co stanowi znaczny postęp w realizacji pamięci Flash o pojemności ponad 100 MB przeznaczonych dla mikrokontrolerów w rozmiarze technologicznym 16 lub 14 nm i przyszłych generacji.

Rozwój na rynku motoryzacji, szczególnie w obszarze autonomicznych pojazdów, a także rozwój Internetu Przedmiotów w obszarze życia codziennego powodują rosnące zapotrzebowanie na mikrokontrolery o wysokiej wydajności. Tylko dzięki przejściu na niższy proces technologiczny będą one w stanie uzyskać wyższą wydajność i niższy pobór mocy. Z tego powodu Renesas opracował pierwszą na rynku pamięć Flash przeznaczoną dla mikrokontrolerów wykonanych w procesie 16/14 nm. Zastąpią one dotychczasowe procesy technologiczne 40 i 28 nm, z którego korzystają obecnie masowo produkowane lub projektowane mikrokontrolery. Renesas obecnie pracuje nad bardziej zaawansowanymi rozwiązaniami, które połączą wydajne i energooszczędne układy logiczne oraz dużą i wydajną pamięć nieulotną wykonaną w niższym procesie technologicznym.

W roku 2016 Renesas zapowiedział i opracował pierwsze na rynku pamięci Flash SG-MONOS w strukturze pionowej, stosując technologię pułapki ładunkowej wykorzystywaną już wcześniej. Pamięć Flash SG-MONOS przechowuje dane w cienkiej pułapce utworzonej na powierzchni podłoża krzemowego, które łatwiej jest uzyskać w pionowej strukturze układów 3D. Inną ważną cechą jest kompatybilność z układami logicznymi wykonanymi w procesie 14/16 nm, które mają taką samą strukturę pionową. Układy MONOS uzyskują ponadto lepsze charakterystyki utrzymania ładunku, które pogarszają się również w przypadku stosowania struktury pionowej. Renesas sprawdził, że możliwe jest uzyskanie tego samego poziomu niezawodności, co w przypadku istniejących układów.

Integracja pamięci Flash o pionowej strukturze SG-MONOS w mikrokontrolerach o wymiarze technologicznym 16/14 nm jest problematyczna ze względu na różnice między egzemplarzami pojawiające się wraz ze zwiększaniem rozmiaru pamięci. Firmie Renesas udało się rozwiązać ten problem i zapewnić pracę także w przypadku pamięci o dużym rozmiarze. To daje szansę na stworzenie wydajnych i niezawodnych mikrokontrolerów z wbudowaną pamięcią Flash o pojemności rzędu 100 MB.

Obecnie Renesas masowo produkuje mikrokontrolery wytwarzane w procesie technologicznym 40 nm, które wykorzystują pamięci Flash  strukturze SG-MONOS. Pracuje również nad rozwojem mikrokontrolerów w wymiarze technologicznym 28 nm, a także nad wspomnianymi pamięciami w wymiarze 16/14 nm, których pojemność przekroczy 100 MB. Będą one przeznaczone dla układów następnych generacji. Renesas planuje wprowadzenie oferty mikrokontrolerów w wymiarze technologicznym 16/14 nm w roku 2023. Firma będzie nadal rozwijać układy na potrzeby rynku motoryzacji i inteligentnych systemów.