Fujitsu zapowiada nową generację FRAM

Firma Fujitsu Electronics Europe (FEEU) ma w swej ofercie MB85RS2MTA – pierwszy produkt należący do nowej generacji pamięci FRAM, mniejszych od poprzedników . Wprowadzenie tych pamięci otwiera nowe możliwości: FEEU jest w stanie stworzyć przystępne cenowo produkty, jak tez zwiększyć potencjalny zasięg technologii FRAM na rynku. Ponadto w najbliższej przyszłości Fujitsu będzie mogła zaoferować produkty FRAM o większej gęstości.

Pierwszy produkt należący do tej generacji jest oznaczony symbolem MB85RS2MTA – jest to pamięć FRAM o pojemności 2 Mb z interfejsem SPI. Poza korzyściami ekonomicznymi, układ MB85RSMTA oferuje również liczne udoskonalenia technologiczne. Maksymalne taktowanie zostało zwiększone z 25 na 40 MHz przy napięciu 3 V, pozwalając uzyskać znacznie szybszą pracę.

Ponadto układ MB85RS2MTA zapewnia bardzo niskie zużycie mocy – pobiera maksymalny prąd 2,0 mA przy taktowaniu 40 MHz. Jest to 1/5 prądu zużywanego przez starsze produkty taktowane zegarem 25 MHz. W trybie oczekiwania maksymalny prąd pobierany przez model MB85RS2MTA wynosi 50 µA – czyli 1/3 wartości starszych produktów. Natomiast prąd w stanie uśpienia jest równy 10 µA. Bardzo niski pobór mocy sprawia, że nowy układ nadaje się doskonale do urządzeń ubieralnych oraz IoT, w których następuje potrzeba częstej rejestracji danych, a dostępne zasilanie jest bardzo ograniczone. Podobnie jak wszystkie produkty FRAM w ofercie Fujitsu, pamięć MB85RS2MTA oferuje wysoką trwałość na poziomie 10^13 cykli zapisu / odczytu, utrzymanie danych przez 10 lat przy temperaturze 85°C, a także wysoką szybkość i elastyczne możliwości konfiguracji zapisu.

Układ MB85RS2MTA mieści się w obudowie SOP-8 o rozstawie wyprowadzeń 150 mili. Znajduje się już w produkcji masowej.