Dioda TVS o wyjątkowo niskiej pojemności
Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty diodę TVS o wyjątkowo niskiej pojemności. Produkt pełni funkcję zabezpieczającą komponenty elektroniczne przed wyładowaniami elektrostatycznymi i szumami. Tłumi również zakłócenia w antenach wysokich częstotliwości. Nowa dioda może być używana w szerokim zakresie urządzeń elektronicznych, m.in. w urządzeniach mobilnych.
Nowa dioda TVS DF2B6M4BSL oferuje pojemność całkowitą na poziomie jedynie 0,12 pF (max 0,15 pF). Oznacza to 25% redukcję względem istniejącego rozwiązania Toshiba (DF2B6M4ASL).
Stosowanie anten do komunikacji radiowej, np. Wi-Fi wymaga zachowania oryginalnej jakości sygnału, a więc pojemność diody TVS nie powinna wprowadzać zbyt dużych zniekształceń harmonicznych. Element DF2B6M4BSL dzięki niewielkiej pojemności bardzo szybko tłumi wysokie skoki napięcia bez wpływu na jakość oryginalnego sygnału. Gdy dioda pracuje w paśmie 5,0 GHz (częste w aplikacjach Wi-Fi) z mocą wyjściową 20 dBm, druga harmoniczna jest na poziomie -64,7 dBm, a trzecia: -55,5 dBm. Oznacza to, że element jest zdolny do ochrony ESD anten pracujących na wysokich częstotliwościach.
Więcej informacji na stronie DF2B6M4BSL


ICEYE zakłada spółkę w Niemczech
Infineon dostarcza technologię SiC firmie ADVANTICS
Naprawa AGD i elektroniki będzie możliwa także po gwarancji 

![https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png)



