Firma Samsung Electronics ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji pamięci DRAM DDR4 2. generacji wykonanych w procesie technologicznym 10 nm. Nowe kości o pojemności 8 gigabitów (Gb) oferują najwyższe parametry pracy i najwyższą wydajność energetyczną wśród układów DRAM o pojemności 8 Gb, jednocześnie zachowując najmniejsze wymiary.

Opracowana przez Samsunga 2. generacja układów DDR4 10 nm o pojemności 8 Gb zapewniła  wzrost uzysku produkcji o około 30% w stosunku do 1. generacji tych układów. Ponadto wydajność oraz efektywność energetyczna nowych kości DRAM 8 Gb wzrosły odpowiednio o około 10 oraz 15 procent dzięki zastosowaniu zaawansowanej, autorskiej technologii podczas realizacji układów. Nowe pamięci DDR4 oferują transfery na poziomie 3600 megabitów na sekundę (Mb/s) dla każdego pinu, w porównaniu do 3200 Mb/s w przypadku kości 8 Gb DDR4 tej firmy wykonanych w wyższych procesach.

Aby uzyskać takie wyniki, Samsung zastosował nowe technologie, które nie wykorzystują technologii litografii opartej na ultrafiolecie (EUV). Obecne w tych układach DDR4 innowacyjne rozwiązania obejmują system odczytu komórek danych o wysokiej czułości oraz nowatorski układ „przerw powietrznych”.

W komórkach Samsunga 2. generacji został zastosowany nowy system, który pozwala na bardziej dokładny odczyt danych zapisanych w każdej komórce, co pozwoliło na zwiększenie stopnia integracji układu oraz uzysku produkcji.

Nowe pamięci DRAM wykonane w procesie 10 nm wykorzystują ponadto unikalne rozwiązanie w postaci przerwy powietrznej umieszczonej dookoła linii bitów, która pozwala na znaczne obniżenie pojemności pasożytniczej. Wykorzystanie przerw powietrznych pozwala nie tylko uzyskać lepsze skalowanie układów, ale też przyspieszyć pracę komórek pamięci.

Dzięki powyższym osiągnięciom Samsung przyspiesza plany wprowadzenia układów i systemów wykorzystujących pamięci DRAM następnej generacji, w tym DDR5, HBM3, LPDDR5 oraz GDDR6. Będą one przeznaczone dla serwerów dla firm, urządzeń przenośnych, superkomputerów, systemów HPC oraz szybkich kart graficznych.

Samsung zakończył już testy 2. generacji modułów DDR4 wykonanych w procesie technologicznym 10 nm we współpracy z producentami procesorów CPU. Następnie planuje we współpracy z globalnymi klientami IT pracować nad stworzeniem bardziej wydajnych systemów obliczeniowych następnej generacji.

Ponadto Samsung nie tylko planuje gwałtowne zwiększenie produkcji układów DRAM 10 nm 2. generacji, ale też zwiększenie produkcji układów 1. generacji w odpowiedzi na wzrost zapotrzebowania na pamięci DRAM w wysokiej klasy systemach elektronicznych produkowanych na całym świecie.