Firma Samsung Electronics ogłosiła rozpoczęcie produkcji pierwszych na rynku pamięci GDDR6 o pojemności 16 Gb. Są one przeznaczone do zaawansowanych układów graficznych – kart graficznych dla graczy, ale też do systemów samochodowych oraz urządzeń sieciowych i systemów sztucznej inteligencji.

Układy są wykonane w zaawansowanym procesie technologicznym 10 nm opracowanym przez Samsung. Nowe pamięci GDDR6 osiągają pojemność 16 Gb, co stanowi wartość dwukrotnie wyższą w porównaniu do 8 Gb kości GDDR5 wykonanych w rozmiarze technologicznym 20 nm. Nowe rozwiązanie pozwoliło uzyskać szybkość transferu 18 gigabitów/s (Gb) na każdy pin, a całkowita przepustowość wynosi 72 gigabajty (GB) na sekundę. Jest to ponad dwa razy więcej, niż w przypadku kości GDDR5 8 Gb o szybkości 8 Gb/s na pin.

Dzięki innowacyjnym, energooszczędnym rozwiązaniom układowym nowe pamięci GDDR6 pracują z napięciami 1,35 V. Powoduje to oszczędność około 35% energii w porównaniu do powszechnie stosowanych pamięci GDDR5 o napięciu 1,55 V. Ponadto nowe kości GDDR6 16 Gb wykonane w procesie 10 nm cechują się o około 30% wyższym uzyskiem produkcyjnym, niż kości GDDR5 8 Gb wykonane w procesie technologicznym 20 nm.

Szybkie rozpoczęcie produkcji pamięci GDDR6 przez firmę Samsung pozwoli wcześniej wprowadzić na rynek karty graficzne i systemy następnej generacji. Dzięki uzyskanym wzrostom gęstości upakowania, wydajności i sprawności energetycznej pamięci GDDR6 16 Gb znajdą zastosowanie w wielu rozwijających się obszarach rynku. Należą do nich np. przetwarzanie wideo w formacie 8K, rzeczywistość rozszerzona i wirtualna oraz sztuczna inteligencja.

Dzięki swej ofercie pamięci dla układów graficznych, która obejmuje kości 16 GB GDDR6 o przepustowości 18 Gb/s oraz niedawno wprowadzone pamięci HBM2 o pojemności 8 GB oraz przepustowości 2,4 Gb/s, Samsung ma nadzieję na przyspieszenie wzrostu udziału w rynku najbardziej wydajnych pamięci w najbliższych kilku latach.