Firma Samsung Electronics ogłosiła rozpoczęcie produkcji wydajnych modułów pamięci Toggle DDR 2.0 MLC (multi-level cell). Nowe układy Flash mieszczą 64 gigabitów (Gb) danych, co stało się możliwe dzięki zastosowaniu zaawansowanego procesu technologicznego 20 nm. Czip został zaprojektowany, by spełniać wysokie wymagania stawiane przez wydajne urządzenia przenośne, takie jak smartfony, tablety i dyski SSD (Solid State Drive).

Wyposażony w interfejs Toggle DDR (Double Data Rate – podwójny transfer danych) 2.0, nowy 64Gb układ MLC może przesyłać dane z prędkością aż do 400 megabitów na sekundę (Mbps). Stanowi to dziesięciokrotny wzrost w stosunku do układów SDR (Single Data Rate) o przepustowości 40Mbps, używanych powszechnie na co dzień, oraz trzykrotnie więcej, niż oferują układy DDR 1.0 133Mbps, takie jak pamięci Flash wprowadzone przez firmę Samsung w roku 2009.

Wysoka przepustowość 400Mbps pamięci Toggle DDR 2.0 pozwoli dotrzymać kroku wciąż rosnącym zapotrzebowaniu na wydajność i pojemność stawianym przez użytkowników urządzeń mobilnych, a także umożliwi wykorzystanie nowych interfejsów w rodzaju USB 3.0 i SATA 6.0Gbps.

Co więcej, nowe 64Gb kości MLC NAND umożliwiają ponad 50-procentowy wzrost wydajności produkcji stosunku do 20nm modułów 32Gb MLC NAND wykorzystujących interfejs DDR 1.0  (które Samsung wprowadził w kwietniu ubiegłego roku)  i ponad dwukrotnie lepsze wykorzystani krzemu, niż kości MLC NAND 32Gb wykonane w 30-nanometrowym procesie technologicznym.

Więcej informacji: Soyter Sp. z o.o., Klaudyn, ul. Ekologiczna 14/16, 05-080 Izabelin, http://www.soyter.pl.