Pierwszy kontakt inżyniera z programem Multisim
Czas kończyć
W tym momencie układ jest prawie gotowy. W celu sprawdzenia czy nie ma w nim błędów, można wybrać opcję Simulation. Wynik tej operacji widoczny jest w oknie dialogowym (rys. 10).
Rys. 10. W obwodzie nie ma błędów
Teraz dodać należy do schematu źródło napięcia wejściowego. Aby to zrobić, trzeba wybrać Place > Component > Sources, zaznaczyć źródła napięcia (SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES), a potem AC_VOLTAGW. Źródło to należy dołączyć do opornika wejściowego R1 10 k?.
Aby obejrzeć sygnał na wyjściu, potrzebny jest jeszcze jeden element na schemacie – oscyloskop. Znajduje się on w menu Simulate > Instruments. Po wybraniu tego elementu należy dołączyć pierwsze z jego wyprowadzeń do wyjścia źródła napięcia AC_VOLTAGW, a drugie do wyjścia wzmacniacza (rys. 11).
Rys. 11. Schemat uzupełniony o oscyloskop
Po dwukrotnym kliknięciu na oscyloskop program wykonuje symulację (rys. 12).
Rys. 12. Ekran oscyloskopu
Po zmianie skali otrzymać można rezultat taki, jak na rys. 13.
Rys. 13. Ekran oscyloskopu po zmianie skali
OMRON: przekaźniki z tranzystorami MOSFET SiC do zastosowań w energetyce wysokonapięciowej i testach 
Anritsu i YOTASYS współpracują nad rozwiązaniami do monitorowania widma RF opartymi na sztucznej inteligencji 
Anritsu wprowadza miernik mocy ML2439A z maksymalnie 4 kanałami 
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
