Firma Samsung Electronics ogłosiła rozpoczęcie produkcji pierwszwych na rynku czterogigabitowych (4 Gb) pamięci Low Power Double-Data-Rate2 (LPDDR2) z użyciem technologii klasy 20 nm. Kość pamięci DRAM dla urządzeń mobilnych tej firmy, która weszła do produkcji masowej w zeszłym miesiącu ma pomóc wprowadzać na rynek urządzenia szybsze, lżejsze i mniej obciążające baterię niż dotychczas.

Wraz z objęciem przewagi na rynku urządzeń mobilnych przez wielkoekranowe tablety i smartfony, wyposażone w czterordzeniowe procesory, wzrosło zapotrzebowanie na pamięci bardziej wydajne i o większej pojemności, zapewniające dłuższy czas życia baterii oraz szybsze przetwarzanie.

Pamięci DRAM 4 Gb dla urządzeń mobilnych produkowane przez firmę Samsung w technologii 20 nm są najcieńszymi, najgęściej upakowanymi i najbardziej wydajnymi pamięciami mobilnymi, pozwalającymi na projektowanie urządzeń wyjątkowo cienkich oraz najwyższej jakości systemów przyszłej generacji, zarówno przez firmy produkujące urządzenia mobilne, jak i dostawców rozwiązań klasy enterprise.

Co więcej, w oparciu o komponenty z pamięci 4 Gb, Samsung może dostarczyć też dwugigabajtowe (2GB) kości o grubości zaledwie 0.8 mm, mieszczące cztery chipy 4 Gb w jednej kości LPDDR2. Ta nowa kość jest o ok. 20% cieńsza niż kości 2 GB złożone z czterech chipów 4 Gb produkowanych w technologii 30 nm. Poza tym, nowa kość 2 GB może przetwarzać dane z prędkością do 1.066 Mb/s, zużywając tyle samo energii, co rozwiązanie w technologii 30 nm. Korzyści, jakie przynoszą nowe chipy LPDDR2 4 Gb, produkowane w technologii 20 nm wspomogą rozwój całego rynku czterogigabitowych pamięci DRAM.

Firma Samsung przewiduje, że nowe pamięci LPDDR2 4 Gb produkowane w technologii 20 nm szybko wyprą kości 1 GB oparte na chipach 2 Gb w technologii 30 nm, których dostępność w wersji o grubości 0.8 mm była ograniczona.

Produkcja czterogigabitowych pamięci LPDDR2 w technologii 20 nm zapewnia firmie Samsung pozycję lidera rynku jeśli chodzi o szerokość oferty pamięci DRAM do zastosowań mobilnych. Osiągnięcie to idzie w ślad za wcześniejszymi dokonaniami firmy w tym zakresie, kiedy to w marcu wprowadziła ona na rynek pierwsze moduły DDR3 o pojemności 8 GB przeznaczone dla notebooków.

Według IHS iSupply, zapotrzebowanie na pamięci DRAM 4 Gb będzie stale rosnąć, stanowiąc łącznie ok. 13% wszystkich zamówionych pamięci DRAM w roku 2012, 49% w roku 2013 i 63% w 2014. Pod koniec 2013 r. czterogigabitowe chipy DRAM mają się stać najpopularniejszymi na rynku.

Więcej informacji: Soyter Sp. z o.o., Klaudyn, ul. Ekologiczna 14/16, 05-080 Izabelin, http://www.soyter.pl.