Uwagi: Charakterystyki diod są zdejmowane z zastosowaniem miliamperomierza i woltomierza (multimetru), ale zaproponowano również wykonanie prostego charakterografu, do którego użyto generatora funkcyjnego stacji bazowej i oscyloskopu pracującego w trybie X-Y (Rys. 9).

Fot. 9. Wykres charakterystyki I-f(U) diody germanowej (a) i krzemowej (b) uzyskany na oscyloskopie

8. Diodowe układy obcinające i poziomujące.

Wykorzystywane moduły i przyrządy dodatkowe: KL-25001, multimetr, oscyloskop.

Zagadnienia: układ obcinania z diodą szeregową i równoległą, układ obcinania z diodą szeregową i równoległą z zastosowaniem polaryzacji wstępnej, diodowy układ poziomowania, diodowy układ poziomowania, z polaryzacją wstępną.

Zeszyt III

9. Prostowniki i filtry.

Wykorzystywane moduły i przyrządy dodatkowe: KL-25002, multimetr, oscyloskop.

Fot. 10. Moduły KL-25002

Zagadnienia: prostownik jednopołówkowy bez kondensatora filtrującego i z kondensatorem filtrującym, prostownik dwupołówkowy bez kondensatora filtrującego i z kondensatorem filtrującym, prostownik w układzie mostkowym bez kondensatora filtrującego i z kondensatorem filtrującym, prostownik z wyjściem symetrycznym, układ podwajania napięcia, badanie układu powielacza napięcia.

Uwagi: W instrukcji dostarczonej do testowanego egzemplarza nie uniknięto błędu na schemacie montażowym. Jeśli uczniowie będą łączyć układ mechanicznie, bez rozumienia zasady jego działania, to nie wykonają ćwiczenia. 

10. Układy różniczkujące i całkujące.

Wykorzystywane moduły i przyrządy dodatkowe: KL-25002, multimetr, oscyloskop.

Zagadnienia: badanie stanu nieustalonego w obwodzie RC, układ różniczkujący, układ całkujący, układ RL.

Uwagi: Niestety, tu również pojawiły się błędy w instrukcji i to dość poważne, gdyż na schemacie montażowym zamiast układu całkującego zamieszczono układ różniczkujący.

Ostatni temat ćwiczeń opisany w zeszycie III to…

11. Własności tranzystora.

Wykorzystywane moduły i przyrządy dodatkowe: KL-25002, multimetr.

Zagadnienia: podstawowe własności tranzystora, pomiar prądów I_E, I_B i I_C tranzystora pnp, pomiar prądów I_E, I_B i I_C tranzystora npn, zdejmowanie charakterystyki tranzystora z wykorzystaniem miliamperomierzy i woltomierza.

Uwagi: Do prawidłowego wykonania tego ćwiczenia potrzebne są dwa miliamperomierze i jeden woltomierz. Dostępny w stacji amperomierz cyfrowy może być wykorzystany do pomiaru prądu bazy, przy założeniu, że nie będzie on większy od 200 mA, gdyż taki jest zakres tego miernika. Zakres 2 A będzie zupełnie bezużyteczny. Galwanometr stacji bazowej z uwagi na małą dokładność też raczej nie będzie dobrym rozwiązaniem, konieczne jest zatem dostarczenie aż dwóch zewnętrznych mierników.

Zeszyt IV

12. Własności tranzystorów polowych (FET).

Wykorzystywane moduły i przyrządy dodatkowe: KL-25005, multimetr.

Fot. 11. Moduły KL-25005

Zagadnienia: badanie własności tranzystora JFET – pomiar prądu drenu I_DSS, pomiar prądu bramki I_GS, pomiar napięcia odcięcia U_p, badanie własności tranzystora MOSFET – pomiar prądu drenu I_DSS, pomiar napięcia odcięcia U_p.

13. Wzmacniacze z tranzystorami polowymi (FET)

Wykorzystywane moduły i przyrządy dodatkowe: KL-25005, multimetr.

Zagadnienia: wzmacniacz JFET ze wspólnym źródłem i polaryzacją automatyczną, wzmacniacz JFET ze wspólnym źródłem i polaryzacją za pomocą dzielnika napięcia, wzmacniacz JFET ze wspólnym drenem i polaryzacją automatyczną, wzmacniacz JFET ze wspólnym drenem i polaryzacją za pomocą dzielnika napięcia, wzmacniacz MOSFET ze wspólnym źródłem i polaryzacją automatyczną, wzmacniacz MOSFET ze wspólnym źródłem i polaryzacją za pomocą dzielnika napięcia.

Dalszy ciąg opisu ćwiczeń – w drugiej części artykułu

Dystrybutor zestawu jest aktualnie w trakcie opracowywania poprawek w instrukcjach do KL-210.