Tranzystory IGBT firmy Infineon o niskich stratach przewodzenia i przełączania

Firma Infineon Technologies zaprezentowała nową rodzinę tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) o niskim napięciu złącza kolektor-emiter. Zostały one zoptymalizowane pod kątem przełączania z częstotliwością w zakresie od 50 Hz do 20 kHz. Tego typu układy są często stosowane między innymi w zasilaczach awaryjnych (UPS) i inwerterach słonecznych. Nowa rodzina L5 została wykonana w technologii cienkowarstwowej TRENCHSTOP 5.

Typowe napięcie kolektor-emiter (Vce) w temperaturze 25°C wynosi 1,05 V, co pozwala zwiększyć sprawność układów o 0,1% w stosunku do topologii NPC 1 oraz do 0,3% w stosunku do topologii NPC 2 używanej w poprzednich tranzystorach IGBT wykonanych w technologii TRENCHSTOP. Wraz z dodatnim współczynnikiem zależności Vce od temperatury pozwala to na uzyskanie wysokiej sprawności i łatwego łączenia równoległego. Technologia TRENCHSTOP 5 użyta w rodzinie układów L5 przekłada się na niskie straty przewodzenia, jak również niskie straty przełączania na poziomie 1,6 mJ w temperaturze 25°C. Dzięki temu nowe układy IGBT cechuje wyższa sprawność, wyższa niezawodność i mniejsze rozmiary systemów wykorzystujących przełączanie z niską częstotliwością.

Nowa rodzina układów IGBT L5 jest już dostępna w standardowych obudowach TO-247 z 3. wyprowadzeniami. Ponadto do zastosowań wymagających zwiększonej sprawności firma Infineon Technologies oferuje innowacyjne obudowy TO-247 z 4. wyprowadzeniami, w których zastosowano konfigurację o nazwie Kelvin-Emitter. W porównaniu do standardowych obudów TO-247 wersja 4-pinowa zmniejsza straty mocy podczas przełączania o dalsze 20%. Dzięki temu technologia L5 w połączeniu z 4-pinową obudową TO-247 zapewnia zarówno najmniejsze straty przewodzenia, jak i przełączania – cechy wymagane w urządzeniach dużej mocy.

Tranzystory z rodziny L5 są dostępne w wersjach o wydajności prądowej 30  i 75 A. Obudowa TO-247  4. wyprowadzeniami będzie dostępna tylko w wersji 75 A.