Toshiba Electronics Europe rozwinęła swoją rodzinę ultrawydajnych, niskonapięciowych tranzystorów MOSFET o urządzenia 30 V i 60 V, dodając je do istniejącej oferty produktów 40 V. Wszystkie urządzenia będą dostępne w ultrakompaktowej obudowie DSOP Advance o wysokiej wydajności termicznej, która znacznie poprawia rozpraszanie ciepła dzięki dwustronnemu chłodzeniu.

Nowe tranzystory MOSFET z kanałem n to jeden układ 30 V i jeden 60 V. Są one oparte o kolejną generację półprzewodnikowej technologii rowkowej firmy Toshiba U-MOS IX-H. Technologię opracowano, aby zaoferować najlepszą w klasie wydajność przy szerokim spektrum warunków obciążenia dzięki zmniejszeniu rezystancji w załączeniu (R_DS(ON)) i poprawie wydajności przełączania przez ograniczenie ładunku wyjściowego (Q_OSS).

Tranzystory MOSFET pomogą konstruktorom w ograniczaniu strat i miejsca na płytce w różnych obwodach zarządzania zasilaniem, m.in. przełączania tranzystorów od strony wysokiego i niskiego napięcia w przekształtnikach DC-DC oraz po stronie wtórnej w konstrukcjach prostowników synchronicznych AC-DC. Technologie są idealne także do sterowania silnikami i do obwodów ochronnych w sprzęcie elektronicznym z akumulatorami litowo-jonowymi (Li-Ion).

Przy napięciu (V_GS) równym 10 V maksymalna znamionowa rezystancja R_DS(ON) dla tranzystora MOSFET 30 V wynosi jedynie 0,6 m? przy typowej pojemności COSS równej 2160 pF. Element 60 V oferuje parametry znamionowe R_DS(ON) 1,3 m? i typową pojemność COSS 960 pF. To zapewnia większą elastyczność w optymalizacji wydajności dla danego zastosowania.

Dwa nowe tranzystory MOSFET w technologii U-MOS IX-H są dostępne w niskich obudowach do montażu powierzchniowego DSOP Advance. Oba zajmują powierzchnię 5 x 6 mm na płytce drukowanej. Wybór rozwiązania DSOP Advance może pomóc w znacznym ograniczeniu temperatury w systemie, co pozwala na zastosowanie mniejszych radiatorów lub nawet całkowite ich wyeliminowanie.

Wszystkie tranzystory MOSFET będą pracować przy temperaturach kanału do 175°C.