Firma Infineon zaprasza na webinarium poświęcone nowej generacji diod Schottky’ego CoolSiC, o numerze 5. Diody te zapewniają wytrzymałość 1200 V i prąd przewodzenia do 40 A w przypadku obudowy TO-247, 20 A dla TO-220 oraz 10 A dla DPAK. Są przeznaczone dla inwerterów słonecznych, zasilaczy awaryjnych, trójfazowych zasilaczy impulsowych, systemów magazynowania energii i napędach silników.

Generacja 5 oznacza zmniejszenie napięcia przewodzenia oraz zależności temperaturowej, co przekłada się na zwiększenie sprawności systemu.

Ponadto poprawiona charakterystyka temperaturowa w stosunku do rozwiązań krzemowych zwiększa niezawodność systemu, jak również możliwość zwiększenia mocy wyjściowej bez zmiany rozmiaru urządzenia. W połączeniu z tranzystorami IGBT HighSpeed 3 o wytrzymałości 1200 V firmy Infineon możliwe jest obniżenie strat włączania tranzystora krzemowego IGBT 1200 V o 40% przy jednoczesnym zmniejszeniu poziomu interferencji elektromagnetycznych.

Podczas webinarium uczestnicy poznają:

• Docelowe zastosowania diod Schottky’ego z węgliku krzemu (SiC) o wytrzymałości 1200 V
• Nowe możliwości 5. generacji diod Schottky’ego CoolSiC 1200 V
• Przełożenie oferty na różne docelowe zastosowania
• Wskazówki projektowe dla diod SiC zastępujących diody krzemowe
• Ofertę dodatkowych materiałów firmy Infineon.

Webinarium odbędzie się 20 kwietnia 2016 o godz. 17:00 i potrwa godzinę. Jest ono przeznaczone głównie dla inżynierów aplikacji, działów marketingu produktu, kierowników sprzedaży, marketingu technicznego i działu zaopatrzenia.

Osoby zainteresowane udziałem w webinarium proszone są o rejestrację.