Firma Infineon Technologies wzbogaciła swą ofertę galwanicznie izolowanych sterowników bramki EiceDRIVER Compact o modele z szeroką obudową. Nowe układy o nazwie 1EDI Compact 300 mil mieszczą się w obudowach DSO-8 o rozstawie wyprowadzeń 300 mili, oferując większy odstęp izolacyjny i lepsze charakterystyki temperaturowe.

Odstęp izolacyjny nowych układów wynosi 8 mm, a napięcie izolacji między wejściem a wyjściem to 1200 V. 1EDI Compact 300mil zostały zaprojektowane z myślą o sterowaniu wysokonapięciowymi tranzystorami MOSFET oraz IGBT dużej mocy. Docelowe zastosowania obejmują inwertery słoneczne i ogólnego przeznaczenia, urządzenia przemysłowe, stacje ładowania pojazdów elektrycznych, sprzęt lutowniczy oraz pojazdy komercyjne i rolnicze. Zoptymalizowany układ wyprowadzeń upraszcza projektowanie płytek PCB w przypadku zasilaczy o niskiej impedancji. Podobnie jak inne układy z rodziny Infineon EiceDRIVER, sterowniki 1EDI Compact 300 mil są oparte na opracowanej przez firmę technologii transformatorów bezrdzeniowych. Najnowsze sterowniki zapewniają prąd wejściowy o natężeniu do 6 A.

W zależności od modelu układy mają różną wydajność prądową oraz osobne wyprowadzenia dla prądu wyjściowego i pochłanianego. Model 1EDI05I12AH ma wydajność 0,5 A, 1EDI20I12AH – 2 A, natomiast 1ED140I12AH – 4 A. Typowe opóźnienie propagacji tych układów wynosi 300 µs. Do szybszych systemów są przeznaczone modele 1EDI20H12AH oraz 1ED60H12AH, których opóźnienie wynosi tylko 120 µs. Jest to wartość w zupełności wystarczająca dla istniejących i przyszłych systemów opartych na układach MOSFET z węgliku krzemu (SiC). Trzy kolejne warianty (1EDI10I12MH, 1EDI20I12MH oraz 1EDI30I12MH) zawierają zintegrowany układ klampujący Millera i zapewniają prąd wyjściowy odpowiednio 1, 2 lub 3 A.

Produkcja masowa sterowników bramki 1EDI Compact 300 mil jest planowana na czerwiec 2016 roku. Próbki inżynieryjne i płytki ewaluacyjne są już dostępne. Dodatkowe informacje można znaleźć na stronie produktów www.infineon.com/EiceDRIVER.