Modele G2 SPICE dla tranzystorów MOSFET Toshiba

Toshiba Electronics Europe opublikowała dokładne modele G2 SPICE, co umożliwi symulację układów wykorzystujących elementy produkowane przez firmę. W przeciwieństwie do wcześniej dostępnych modeli G0 SPICE, zoptymalizowanych pod kątem szybkości obliczeń, modele G2 SPICE umożliwiają bardziej […]

Nowe tranzystory MOSFET z superzłączem firmy Toshiba

Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty cztery nowe tranzystory mocy MOSFET z superzłączem. Elementy są przeznaczone do aplikacji przemysłowych, zasilaczy do oświetlenia, a także innych zastosowań wymagających wysokiej sprawności energetycznej oraz niewielkich wymiarów. Tranzystory MOSFET […]

Nowy tranzystor mocy MOSFET firmy Toshiba

Toshiba Electronics Europe wprowadził do oferty tranzystor mocy MOSFET o napięciu znamionowym 150 V. Element wykorzystuje najnowszy proces technologiczny U-MOSX-H, co umożliwia osiągnięcie znaczącej redukcji strat. Dodatkowo, zredukowano skoki napięcia pomiędzy drenem, a źródłem, co […]

Nowy miniaturowy sterownik MOSFET firmy Toshiba

Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty nowy sterownik bramki MOSFET. Układ TCK421G jest w stanie kontrolować napięcie bramki zewnętrznego tranzystora N-MOSFET w oparciu o napięcie wejściowe. Sterownik zawiera układ pompy ładunku obsługujący szeroki zakres napięć […]

Tranzystor MOSFET do układów ochrony baterii w smartfonach

Firma Magnachip wprowadziła do oferty niskonapięciowe tranzystory MOSFET przeznaczone do układów ochrony baterii w smartfonach. Tranzystor oferuje bardzo niską rezystancję Rss w stanie włączenia. Zmniejsza to straty prądu i poprawia rozpraszanie ciepła. Rezystancja Rss może […]

Nowe tranzystory MOSFET SiC 1700V firmy Microchip

Microchip wprowadził do oferty rodzinę wydajnych i niezawodnych tranzystorów MOSFET z węgliku krzemu (SiC) o napięciu do 1700 V. Przeznaczone są do systemów ładowania dla pojazdów komercyjnych, inwerterów solarnych oraz innych aplikacji transportowych. Pozwalają spełnić […]

Nowy tranzystor mocy MOSFET od Vishay Intertechnology

Vishay Intertechnology wprowadził do oferty nowy tranzystor mocy MOSFET. Element SiSS52DN wykonano w technologii TrenchFET Gen V, oferuje napięcie pracy do 30 V, dużą gęstość mocy oraz sprawność energetyczną. Można go stosować w topologiach izolowanych […]