Toshiba wprowadziła do oferty pięć nowych tranzystorów MOSFET trzeciej generacji wykonanych z węgliku krzemu (SiC). Elementy mają napięcie znamionowe 650 V i zaprojektowano je do aplikacji w sprzęcie przemysłowym. Produkty cechują się wysoką sprawnością oraz […]
Tag: MOSFET
Najmniejsze tranzystory DFN MOSFET na świecie w ofercie Nexperia
Nexperia zaprezentowała nowe elementy MOSFET na napięcia znamionowe 20 V i 30 V. Elementy zamknięto w najmniejszych obudowach DFN na rynku, a więc DFN0603. Firma Nexperia oferuje już w tej obudowie elementy ochronne przez ESD, […]
Modele G2 SPICE dla tranzystorów MOSFET Toshiba
Toshiba Electronics Europe opublikowała dokładne modele G2 SPICE, co umożliwi symulację układów wykorzystujących elementy produkowane przez firmę. W przeciwieństwie do wcześniej dostępnych modeli G0 SPICE, zoptymalizowanych pod kątem szybkości obliczeń, modele G2 SPICE umożliwiają bardziej […]
Nowe tranzystory MOSFET z superzłączem firmy Toshiba
Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty cztery nowe tranzystory mocy MOSFET z superzłączem. Elementy są przeznaczone do aplikacji przemysłowych, zasilaczy do oświetlenia, a także innych zastosowań wymagających wysokiej sprawności energetycznej oraz niewielkich wymiarów. Tranzystory MOSFET […]
Nowy tranzystor mocy MOSFET firmy Toshiba
Toshiba Electronics Europe wprowadził do oferty tranzystor mocy MOSFET o napięciu znamionowym 150 V. Element wykorzystuje najnowszy proces technologiczny U-MOSX-H, co umożliwia osiągnięcie znaczącej redukcji strat. Dodatkowo, zredukowano skoki napięcia pomiędzy drenem, a źródłem, co […]
Nowy miniaturowy sterownik MOSFET firmy Toshiba
Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty nowy sterownik bramki MOSFET. Układ TCK421G jest w stanie kontrolować napięcie bramki zewnętrznego tranzystora N-MOSFET w oparciu o napięcie wejściowe. Sterownik zawiera układ pompy ładunku obsługujący szeroki zakres napięć […]
Nowe klucze mocy STMicroelectronics dla obciążeń pojemnościowych
STMicroelectronics wprowadził do oferty dwa nowe klucze mocy dla strony wysokiej (zasilania). Układy IPS2050H oraz IPS2050H-32 pozwalają ustawić dwa poziomy ograniczania prądu. Sprawdzą się w inteligentnym sterowaniu obciążeń pojemnościowych wymagających wysokich prądów startowych. Zakres napięć […]
Podwójny sterownik bramki MOSFET Diodes Incorporated
Diodes Incorporated wprowadziło do oferty podwójny sterownik bramek dla tranzystorów N-MOSFET w konfiguracji półmostka. Konfiguracja ta jest szeroko stosowana w sterowaniu silnikami oraz w konwerterach mocy DC/DC, w takich aplikacjach jak narzędzia elektryczne, ładowarki do […]
Tranzystor MOSFET do układów ochrony baterii w smartfonach
Firma Magnachip wprowadziła do oferty niskonapięciowe tranzystory MOSFET przeznaczone do układów ochrony baterii w smartfonach. Tranzystor oferuje bardzo niską rezystancję Rss w stanie włączenia. Zmniejsza to straty prądu i poprawia rozpraszanie ciepła. Rezystancja Rss może […]
Tranzystor N-MOSFET Toshiba z układem ograniczającym szpilki napięcia
Toshiba wprowadziła do oferty N-kanałowy tranzystor MOSFET 40 V o oznaczeniu TPHR7404PU. Element wykonano w procesie technologicznym najnowszej generacji U-MOSIX-H. Tranzystor cechuje się niskimi szpilkami napięcia podczas przełączania, co pozwala zachować stabilność w aplikacjach impulsowych. […]