Portal mikrokontroler.pl prezentuje aktualności ze świata elektroniki oraz materiały edukacyjne (tutoriale, przykładowe projekty)
Vishay Intertechnology wprowadził do oferty nowy tranzystor mocy MOSFET. Element SiSS52DN wykonano w technologii TrenchFET Gen V, oferuje napięcie pracy do 30 V, dużą gęstość mocy oraz sprawność energetyczną. Można go stosować w topologiach izolowanych […]
Diodes Incorporated wprowadził do oferty układ AP22916. Są to miniaturowe klucze mocy umożliwiające sterowanie prądu do 2 A. Rezystancja w stanie włączenia RDS(on) wynosi 60 mΩ (przy 5 V). Przełączniki są dostępne w dwóch wersjach […]
STMicroelectronics wprowadził do nowy, izolowany sterownik bramki z serii STGAP. Układ STGAP2SiCS bezpiecznie steruje tranzystorami MOSFET wykonanymi z węglika krzemu (SiC). Może być zasilany z wysokiego napięcia nawet do 1200 V. Układ jest w stanie […]
Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła do oferty 5 nowych tranzystorów MOSFET o napięciu do 650 V, wykonanych w technologii superjunction. Elementy są dostępne w nowej kompaktowej obudowie SMD TOLL. Tranzystory mają wymiary jedynie 9,9 x […]
Toshiba Electronics Europe GbmH wprowadziła do oferty nowe tranzystory MOSFET z węgliku krzemu (SiC). Elementy MG800FXF2YMS3 zawierają dwa kanały MOSFET o dopuszczalnym napięciu do 3300 V zdolne do obsługi prądów do 800 A. Tranzystory są […]
Infineon Technologies wprowadził do oferty nowy sterownik bramek MOSFET z serii EiceDRIVER. Układ 2ED24427N01F oferuje dwa kanały, napięcie do 24 V, a także zintegrowany termopad. Może pracować z wyższymi częstotliwościami przełączania oraz wyższymi prądami szczytowymi. […]
Firma Toshiba wprowadziła do oferty nowy energooszczędny N-kanałowy tranzystor MOSFET SSM6N951L. Tranzystor oferuje napięcie pracy do 12 V i jest w zaimplementowany w układzie wspólnego drenu. Tranzystor SSM6N951L jest przeznaczony zwłaszcza do obwodów zabezpieczających baterie […]
Pochodząca z Tajwanu firma SHIKUES Micro Industrial to nowy, ale już poważny gracz na rynku półprzewodnikowych elementów dyskretnych. Centrum operacyjne firmy zlokalizowane jest w Shenzhen, znanym powszechnie jako zagłębie elektroniki. SHIKUES specjalizuje się w produkcji […]
Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła na rynek serię nowych tranzystorów N-MOSFET przeznaczonych do aplikacji motoryzacyjnych. Elementy są produkowane w zaawansowanym procesie technologicznym U-MOSVIII-H. Tranzystory XPN3R804NC i XPN7R104NC mogą pracować z napięciem do 40 V, natomiast […]
Toshiba wprowadziła do oferty nowe tranzystory super-junction N-MOSFET z serii DTMSOSVI. Elementy mają napięcie pracy 650 V. Osiem nowych tranzystorów charakteryzują się bardzo dobrym parametrem FoM (Figure of Merit) czyli iloczynem rezystancji RDS(ON) oraz ładunku […]