Portal Mikrokontroler.pl prezentuje aktualności ze świata elektroniki oraz materiały edukacyjne (tutoriale, przykładowe projekty)
Firma Magnachip wprowadziła do oferty niskonapięciowe tranzystory MOSFET przeznaczone do układów ochrony baterii w smartfonach. Tranzystor oferuje bardzo niską rezystancję Rss w stanie włączenia. Zmniejsza to straty prądu i poprawia rozpraszanie ciepła. Rezystancja Rss może […]
Toshiba wprowadziła do oferty N-kanałowy tranzystor MOSFET 40 V o oznaczeniu TPHR7404PU. Element wykonano w procesie technologicznym najnowszej generacji U-MOSIX-H. Tranzystor cechuje się niskimi szpilkami napięcia podczas przełączania, co pozwala zachować stabilność w aplikacjach impulsowych. […]
Microchip wprowadził do oferty rodzinę wydajnych i niezawodnych tranzystorów MOSFET z węgliku krzemu (SiC) o napięciu do 1700 V. Przeznaczone są do systemów ładowania dla pojazdów komercyjnych, inwerterów solarnych oraz innych aplikacji transportowych. Pozwalają spełnić […]
Vishay Intertechnology wprowadził do oferty nowy tranzystor mocy MOSFET. Element SiSS52DN wykonano w technologii TrenchFET Gen V, oferuje napięcie pracy do 30 V, dużą gęstość mocy oraz sprawność energetyczną. Można go stosować w topologiach izolowanych […]
Diodes Incorporated wprowadził do oferty układ AP22916. Są to miniaturowe klucze mocy umożliwiające sterowanie prądu do 2 A. Rezystancja w stanie włączenia RDS(on) wynosi 60 mΩ (przy 5 V). Przełączniki są dostępne w dwóch wersjach […]
STMicroelectronics wprowadził do nowy, izolowany sterownik bramki z serii STGAP. Układ STGAP2SiCS bezpiecznie steruje tranzystorami MOSFET wykonanymi z węglika krzemu (SiC). Może być zasilany z wysokiego napięcia nawet do 1200 V. Układ jest w stanie […]
Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła do oferty 5 nowych tranzystorów MOSFET o napięciu do 650 V, wykonanych w technologii superjunction. Elementy są dostępne w nowej kompaktowej obudowie SMD TOLL. Tranzystory mają wymiary jedynie 9,9 x […]
Toshiba Electronics Europe GbmH wprowadziła do oferty nowe tranzystory MOSFET z węgliku krzemu (SiC). Elementy MG800FXF2YMS3 zawierają dwa kanały MOSFET o dopuszczalnym napięciu do 3300 V zdolne do obsługi prądów do 800 A. Tranzystory są […]
Infineon Technologies wprowadził do oferty nowy sterownik bramek MOSFET z serii EiceDRIVER. Układ 2ED24427N01F oferuje dwa kanały, napięcie do 24 V, a także zintegrowany termopad. Może pracować z wyższymi częstotliwościami przełączania oraz wyższymi prądami szczytowymi. […]
Firma Toshiba wprowadziła do oferty nowy energooszczędny N-kanałowy tranzystor MOSFET SSM6N951L. Tranzystor oferuje napięcie pracy do 12 V i jest w zaimplementowany w układzie wspólnego drenu. Tranzystor SSM6N951L jest przeznaczony zwłaszcza do obwodów zabezpieczających baterie […]