Firmy Infineon Technologies i Cree Inc. ogłosiły podpisanie umowy, na skutek której Infineon przejmie spółkę Wolfspeed Power i oddział technologii radiowych (”Wolfspeed”) firmy Cree. Umowa obejmuje również związaną z tym produkcję wafli SiC dla układów zasilania i radiowych układów mocy. Ustalona cena transakcji to 850 mln USD w gotówce (około 740 mln euro).

Wolfspeed jest amerykańską firmą z siedzibą w Północnej Kalifornii w Research Triangle Part. Stanowi część koncernu Cree od prawie trzech dekad. Wolfspeed dostarcza układy zasilania wykonane z materiałów SiC i radiowe układy mocy GaN-on-SiC. Firma ma także możliwość produkcji wafli SiC, jak również SiC pokrytego warstwą monokryształu GaN na potrzeby radiowych układów mocy. Wolfspeed zatrudnia 550 wykwalifikowanych pracowników i jest w posiadaniu własności intelektualnej obejmującej około 2000 patentów oraz wniosków patentowych. Umowa dopełnia wcześniejsze przejęcie firmy International Rectifier dokonane na początku roku 2015. Oferta Wolfspeed obejmująca produkty oparte na węgliku krzemu stanowi uzupełnienie oferty firmy Infineon.

Przejęcie pozwoli firmie zaoferować najbogatszy wybór układów ze związków półprzewodnikowych, a także umocni pozycję Infineona jako dostawcy układów zasilania i układów RF dużej mocy. Potencjalne rynki obejmują takie rozwijające się obszary, jak pojazdy elektryczne, energia odnawialna i infrastruktura sieci komórkowych następnej generacji przeznaczona dla Internetu Przedmiotów.

Rozwiązania oparte na związkach półprzewodnikowych mają kilka zalet, dzięki którym Infineon jest w stanie zapewnić klientom możliwość projektowania systemów o wyższej sprawności energetycznej, mniejszych rozmiarach i niższej cenie. Połączenie posiadanych technologii, ofert produktów i możliwości produkcyjnych Infineon i Wolfspeed przyspieszy opracowanie nowych komponentów. Te z kolei pozwolą klientom na stworzenie wyróżniających się systemów. Główne obszary zastosowań układów SiC to systemy energii odnawialnej i motoryzacja. W obu przypadkach potrzebna jest zwiększona gęstość mocy i sprawność. Co więcej, przemysł motoryzacyjny w ostatnim czasie skłania się ku zasilanym z gniazdka autom hybrydowym i w pełni elektrycznym (xEV). Połączenie możliwości i oferty obu firm znacząco przyspieszy wprowadzenie na rynek nowych układów opartych na związkach półprzewodnikowych.

Infrastruktura sieci komórkowych następnych generacji – 5G i przyszłych – będzie wykorzystywała częstotliwości do 80 GHz. Tylko zaawansowane związki półprzewodnikowe mogą zapewnić wymagana sprawność na tak wysokich częstotliwościach. Związek GaN-on-Si pozwala uzyskać wyższy stopień integracji układów i lepsze parametry przy częstotliwości pracy do 10 GHz. Z kolei GaN-on-SiC pozwala uzyskać maksymalną sprawność na częstotliwościach do 80 GHz. Obie technologie są niezbędne do stworzenia infrastruktury łączności komórkowej przyszłych generacji. Wraz z krzemowymi tranzystorami LDMOS Infineon zapewnia najbardziej kompletną na rynku ofertę układów mocy RF.

Połączenie oferty stanowi kolejny krok realizacji strategii Infineon „od produktu do systemu” (Product to System). Ponadto firma dzięki przyspieszonej dostępności komponentów opartych na węgliku krzemu i azotku galu uzyska dostęp do rynków, które wykorzystają je jako pierwsze, stosując w pojazdach elektrycznych, wysokiej klasy inwerterach słonecznych, stacjach ładowania pojazdów elektrycznych, a także w infrastrukturze komórkowej.

Rady nadzorcze Cree i Infineon zatwierdziły przejęcie. Transakcja zostanie sfinansowana za pomocą pożyczki na kwotę 720 mln USD i 130 mln dolarów przekazanych w gotówce, natychmiast też zostanie uwzględniona w wysokości marży i wskaźniku zysku na akcję.

Sfinalizowanie transakcji wymaga zgody licznych organów regulacyjnych, a jej zakończenie jest przewidywane przed końcem bieżącego roku.