Tranzystory OptiMOS 5 – niższa rezystancja włączenia i ładunek przejściowy

Firma Infineon Technologies wprowadziła serię tranzystorów OptiMOS 5 o napięciu znamionowym 150 V. Stanowi ona kontynuację wysokiej klasy rodziny tranzystorów mocy MOSFET OptiMOS 5. Nowa seria o napięciu znamionowym 150 V jest przeznaczona do wymagających zadań, w których występują małe ładunki i wysoka gęstość mocy, a ponadto konieczne jest zapewnienie wysokiej trwałości. Opisywane układy stanowią rozszerzenie oferty Infineon przeznaczonej dla niskonapięciowych sterowników, synchronicznych prostowników do zastosowań telekomunikacyjnych i przetwornic prądu stałego, jak również dla układów zarządzania energią słoneczną.

Infineon przykłada wagę do rozwoju produktów, które dzięki wysokiej sprawności energetycznej mogą zmniejszyć globalny poziom emisji dwutlenku węgla. Układy OptiMOS 5 150 V realizują ten cel, pozwalając obniżyć poziom mocy przyrządów telekomunikacyjnych lub zwiększyć moc oraz zasięg pojazdów elektrycznych.

W porównaniu do najlepszych alternatywnych modeli, OptiMOS 5 o napięciu znamionowym 150 V w obudowie SuperSO8 zapewnia obniżenie rezystancji włączenia R_DS(on) o 25%, natomiast współczynnik FOM_g jest lepszy o nawet 29% w stosunku do poprzedniej generacji układów. Zwiększoną wytrzymałość podczas komutacji udało się uzyskać dzięki bardzo niskiej wartości ładunku przejściowego Q_rr, która jest o 72% mniejsza w porównaniu do najbliższego zamiennika w obudowie SuperSO8. Dodatkową cechą tej serii produktów jest obniżony poziom interferencji elektromagnetycznych.

Szczegółowe informacje są dostępne na stronie produktu.