Firma Nexperia wprowadziła na rynek pierwszą rodzinę tranzystorów RET (Resistor-Equipped Transistor) o napięciu do 80 V. Elementy mogą być wykorzystane w układach motoryzacyjnych o napięciu 48 V. Można je użyć także w innych układach wysokiego […]
Tag: tranzystory
Tranzystory bipolarne i MOSFET firmy Shikues w ofercie Micros
Pochodząca z Tajwanu firma SHIKUES Micro Industrial to nowy, ale już poważny gracz na rynku półprzewodnikowych elementów dyskretnych. Centrum operacyjne firmy zlokalizowane jest w Shenzhen, znanym powszechnie jako zagłębie elektroniki. SHIKUES specjalizuje się w produkcji […]
Toshiba prezentuje nowe tranzystory MOSFET do aplikacji automotive
Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty tranzystory mocy N-MOSFET o maksymalnym napięciu VDS równym 100 V. Elementy są dostępne w montowanej powierzchniowo obudowie SOP Advance i są przeznaczone do aplikacji automotive. Tranzystory zaprojektowano do nowoczesnych […]
Nexperia wprowadza do oferty efektywne tranzystory GaN FET
Nexperia wprowadza do oferty tranzystory FET zbudowane z azotku galu (GaN). Pierwsze elementy z tej serii to GAN063-650WSA oferujące napięcie do 650 V, napięcie bramka-źródło (VGS) z zakresu +/- 20 V oraz temperaturą pracy od […]
Nowe tranzystory Super-Junction MOSFET od STMicroelectronics
Tranzystory super-junction z serii MDmesh M6 zaprojektowano do użycia w wysokowydajnych, średniomocowych przetwornicach rezonansowych lub topologii „hard-switching”. Napięcie przełączania zoptymalizowane pod miękkie przełączanie sprawia, że tranzystor jest idealny do zastosowania w konwerterach LLC oraz boost-PFC. […]
Nowe tranzystory CoolMOS P7 dla układów FPC oraz topologii flyback
Firma Infineon Technologies wprowadziła do oferty nowy układ z rodziny CoolMOS P7. Superzłączowy układ MOSFET CoolMOS7 950 V jest przeznaczony do niskomocowych rozwiązań wykorzystujących zasilacze impulsowe o wysokiej gęstości mocy. Układ spełnia najbardziej rygorystyczne wymagania […]
Węglik krzemu – najnowsze produkty wysokiej jakości czekają, aby je wykorzystać
Zalety węgliku krzemu (SiC), materiału półprzewodnikowego o szerokiej przerwie zabronionej, są dobrze znane projektantom systemów wysokonapięciowych. Jednak wady produktów tego typu oraz trudności związane z samym łańcuchem dostaw dotychczas skutecznie zniechęcały projektantów od podejmowania ryzyka […]
Pierwszy tranzystor FET z azotku galu odporny na promieniowanie
Firma Renesas Electronics przedstawiła pierwszy sterownik FET wykonany z azotku galu (GaN) przeznaczony do pracy po stronie masy (low-side), który jest odporny na promieniowanie i pozwala na realizację zasilaczy DC/DC na potrzeby statków kosmicznych i […]
Tranzystory drukowane na papierze
Drukowane obwody elektroniczne są potencjalną niedrogą i skalowalną alternatywą dla tradycyjnych tranzystorów krzemowych. Popularne materiały wykorzystywane jako tusze obejmują związki organiczne i półprzewodniki tlenkowe. Niestety w porównaniu do rozwiązań krzemowych cechują się one znacznie niższą […]
Zastosowanie tranzystora MOSFET LFPAK do przełączania prądu 200 A
Stale rosnąca rezystancja włączenia współczesnych tranzystorów MOSFET pozwala im zachować umiarkowaną temperaturę nawet podczas przenoszenia wielu amperów. Do rozpraszania ciepła wystarczy radiator i miedź występująca na samej płytce PCB. To właśnie możliwość uzyskania wysokiej mocy […]