LinkedIn YouTube Facebook
Szukaj
Szukaj

Newsletter

Proszę czekać.

Dziękujemy za zgłoszenie!

Wstecz
Aktualności

16.11.2018

Szybkie pamięci PSRAM Aliance Memory w ofercie Rutronik

Pamięci pseudo SRAM Aliiance Memory zapewniają korzyści interfejsów SRAM i DRAM i dostarczają rozwiązania proste, tanie i energooszczędne. Dzięki rdzeniom DRAM z interfejsem SRAM i wbudowanym układom odświeżania, urządzenia zapewniają dużą przepustowość i niski pobór mocy. Umożliwia to zastąpienie pamięci SRAM w elektronice przenośnej, np. w smartfonach, a także zastąpienie NOR Flash. Są doskonałe do aplikacji w układach komunikacji bezprzewodowej, automotive, sieciach i przemyśle.

Pamięci dysponują przemysłowym zakresem temperatur pracy (od -30°C albo -40°C do +85°C). Oferują krótki czas dostępu (70 ns) i pracują z pojedynczym napięciem zasilania – 1,7…1,95 V albo 2,6…3,3 V. Produkowane są w 48-pinowych obudowach FPBGA o wymiarach 6,0 x 7,0 x 1,0 mm lub 49-pinowych FPBGA o wymiarach 4,0 x 4,0 x 1,0 mm.

Dostępne są pamięci o rozmiarach od 8 Mb do 128 Mb. Więcej informacji na stronie www.rutronik24.com

Autor: Rutronik
Dystrybutor podzespołów elektronicznych, założony w 1973 roku jako niezależna firma rodzinna. Posiada swoje przedstawicielstwa na całym świecie, w ponad 80 biurach. Gwarantuje kompleksową obsługę klientów w Europie, Azji i USA.
Tagi: pamięć, podzespoły, PSRAM, Rutronik

Przeczytaj również:

Instytut Łukasiewicz – PIMOT otworzył Centrum Elektromobilności i Automatyzacji Transportu
Microamp pozyskał 6,5 mln EUR i wsparcie w ramach programu EIC Accelerator UE na rozwój platformy bezprzewodowej Any-G mmWave AI-RAN
Imec osiąga czterokrotne zwiększenie zasięgu UWB dzięki wąskopasmowemu układowi odbiorczemu zgodnemu ze standardem IEEE 802.15.4ab