Szybkie pamięci PSRAM Aliance Memory w ofercie Rutronik
Pamięci pseudo SRAM Aliiance Memory zapewniają korzyści interfejsów SRAM i DRAM i dostarczają rozwiązania proste, tanie i energooszczędne. Dzięki rdzeniom DRAM z interfejsem SRAM i wbudowanym układom odświeżania, urządzenia zapewniają dużą przepustowość i niski pobór mocy. Umożliwia to zastąpienie pamięci SRAM w elektronice przenośnej, np. w smartfonach, a także zastąpienie NOR Flash. Są doskonałe do aplikacji w układach komunikacji bezprzewodowej, automotive, sieciach i przemyśle.
Pamięci dysponują przemysłowym zakresem temperatur pracy (od -30°C albo -40°C do +85°C). Oferują krótki czas dostępu (70 ns) i pracują z pojedynczym napięciem zasilania – 1,7…1,95 V albo 2,6…3,3 V. Produkowane są w 48-pinowych obudowach FPBGA o wymiarach 6,0 x 7,0 x 1,0 mm lub 49-pinowych FPBGA o wymiarach 4,0 x 4,0 x 1,0 mm.
Dostępne są pamięci o rozmiarach od 8 Mb do 128 Mb. Więcej informacji na stronie www.rutronik24.com
Scanway zwiększa przychody, inwestuje w zaplecze produkcyjne i zawiera nowe kontrakty 
Sieć Badawcza Łukasiewicz rozwija laboratoria przemysłu wysokich technologii 
Grupa Volkswagen i Uniwersytet Techniczny w Brunszwiku zacieśniają współpracę badawczą w dziedzinie sztucznej inteligencji i mobilności 
![Zapraszamy do obejrzenia filmu i wysłuchania krótkich wypowiedzi prelegentów Hardware Forum 2026 i organizatorów majowej konferencji dla inżynierów z branży elektronicznej: Konrad Bruliński z Lemontech, prof. Krzysztof Kulpa z Politechniki Warszawskiej, Zbigniew Huber z FLC, Ewa Załupska z firmy KROK, Jerzy Kozieł z MPTECH, Grzegorz Potyralski z VIGO Photonics, dr Krzysztof Czuba z Politechniki Warszawskiej, Anna Beata Kalisz Hedegaard z Quantum Security Defence, Adrian Cichosz z Elhurt Dystrybucja Anna Kamińska z Creotech Quantum, oraz Łukasz Jaeszke i Adam Jaeszke z TEK.day [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/05/tytulowe-film-1.png "https://www.youtube.com/watch?v=BgxJVTwYJ-s")
