Tranzystory mocy MOSFET nowej generacji od Diodes Incorporated
Diodes Incorporated wprowadziło do oferty dyskretne tranzystory mocy MOSFET nowej generacji o oznaczeniu DMN3012LEG. Umożliwiają zwiększenie sprawności układu, zmniejszenie rozmiarów, a także spadek kosztów i oszczędność energii. Tranzystory znajdą zastosowanie w konwerterach mocy i aplikacjach sterujących.
Układ DMN3012LEG łączy dwa MOSFETy w jednej obudowie o wymiarach 3,3 x 3,3 mm. Pozwala to zredukować miejsce na PCB o 50 % w stosunku do typowego rozwiązania. Ta oszczędność miejsca ma szczególne znaczenia w aplikacjach modułów zasilania oraz konwerterów PoL. Elementy można być wykorzystać m.in. w synchronicznych konwerterach buck.
Więcej informacji na stronie: https://www.diodes.com/part/DMN3012LEG




Grupa WB i Hanwha budują fabrykę pocisków rakietowych dla HOMAR-K
GlobalLogic zmienia nazwę na Hitachi Digital we Wrocławiu
O czym rozmawiano podczas inauguracji klastra SEMTRONIC w ŁSSE? 


![https://www.youtube.com/watch?v=xeqdqGuy-Aw Michał Mitas, kierownik laboratorium Badań Urządzeń Radiowych w katowickim instytucie Łukasiewicz - AI, opowiada o badaniach urządzeń z interfejsem komunikacji bezprzewodowej, jak Wi-Fi, Bluetooth, LTE czy 5G, przeprowadzanych w komorze bezodbiciowej. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/10/00.png)

![https://www.youtube.com/watch?v=QSnLO-KmBMY O wybranych projektach realizowanych w Laboratorium Zakładu Układów Mikrofalowych – ISE PW opowiadają: mgr inż. Michał Kalisiak, dr hab. inż. Arkadiusz Lewandowski, mgr inż. Andžej Šerlat oraz dr hab. inż. Krzysztof Czuba. Zapraszamy na firm [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/09/WEiTI-PW-czolowka.png)

