17.06.2020
Tranzystory mocy MOSFET nowej generacji od Diodes Incorporated
Diodes Incorporated wprowadziło do oferty dyskretne tranzystory mocy MOSFET nowej generacji o oznaczeniu DMN3012LEG. Umożliwiają zwiększenie sprawności układu, zmniejszenie rozmiarów, a także spadek kosztów i oszczędność energii. Tranzystory znajdą zastosowanie w konwerterach mocy i aplikacjach sterujących.
Układ DMN3012LEG łączy dwa MOSFETy w jednej obudowie o wymiarach 3,3 x 3,3 mm. Pozwala to zredukować miejsce na PCB o 50 % w stosunku do typowego rozwiązania. Ta oszczędność miejsca ma szczególne znaczenia w aplikacjach modułów zasilania oraz konwerterów PoL. Elementy można być wykorzystać m.in. w synchronicznych konwerterach buck.
Więcej informacji na stronie: https://www.diodes.com/part/DMN3012LEG
Intel inwestuje 5 mld EUR w rozbudowę produkcji w Europie 
ICEYE zakłada spółkę w Niemczech 
Infineon dostarcza technologię SiC firmie ADVANTICS 
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
