Diodes Incorporated wprowadziło do oferty dyskretne tranzystory mocy MOSFET nowej generacji o oznaczeniu DMN3012LEG. Umożliwiają zwiększenie sprawności układu, zmniejszenie rozmiarów, a także spadek kosztów i oszczędność energii. Tranzystory znajdą zastosowanie w konwerterach mocy i aplikacjach sterujących.
Układ DMN3012LEG łączy dwa MOSFETy w jednej obudowie o wymiarach 3,3 x 3,3 mm. Pozwala to zredukować miejsce na PCB o 50 % w stosunku do typowego rozwiązania. Ta oszczędność miejsca ma szczególne znaczenia w aplikacjach modułów zasilania oraz konwerterów PoL. Elementy można być wykorzystać m.in. w synchronicznych konwerterach buck.
Więcej informacji na stronie: https://www.diodes.com/part/DMN3012LEG
