Tranzystory mocy MOSFET nowej generacji od Diodes Incorporated
Diodes Incorporated wprowadziło do oferty dyskretne tranzystory mocy MOSFET nowej generacji o oznaczeniu DMN3012LEG. Umożliwiają zwiększenie sprawności układu, zmniejszenie rozmiarów, a także spadek kosztów i oszczędność energii. Tranzystory znajdą zastosowanie w konwerterach mocy i aplikacjach sterujących.
Układ DMN3012LEG łączy dwa MOSFETy w jednej obudowie o wymiarach 3,3 x 3,3 mm. Pozwala to zredukować miejsce na PCB o 50 % w stosunku do typowego rozwiązania. Ta oszczędność miejsca ma szczególne znaczenia w aplikacjach modułów zasilania oraz konwerterów PoL. Elementy można być wykorzystać m.in. w synchronicznych konwerterach buck.
Więcej informacji na stronie: https://www.diodes.com/part/DMN3012LEG



Unisystem i SoMLabs zacieśniają współpracę wzmacniając europejski rynek elektroniki
Creotech Quantum zamierza skomercjalizować system kwantowej dystrybucji klucza w 2026 roku
Procesory AMD Ryzen™ Embedded V3000 sercem przełączników Cisco N9300 oraz routerów z serii 8000 do obsługi obciążeń związanych z AI 





