Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła na rynek serię nowych tranzystorów N-MOSFET przeznaczonych do aplikacji motoryzacyjnych. Elementy są produkowane w zaawansowanym procesie technologicznym U-MOSVIII-H. Tranzystory XPN3R804NC i XPN7R104NC mogą pracować z napięciem do 40 V, natomiast XPN6R706NC oraz XPN12006NC – do 60 V. Elementy charakteryzują się niezwykle niską rezystancją w stanie przewodzenia , sięgającą nawet 3,8 mΩ (dla XPN3R804NC przy 10 V), a także minimalnym prądem upływu.
Tranzystory MOSFET są dostępne w powierzchniowo montowanych obudowach TSON Advance. Zapewniają one minimalne wykorzystanie powierzchni płytki PCB. Typowe rozmiary elementów wynoszą 3,3 x 3,6 mm. Tranzystory są w pełni zgodne ze standardem AEC-Q101, co oznacza, że można ich używać w systemach motoryzacyjnych. Niewielkie rozmiary elementów umożliwiają znaczące zmniejszenie rozmiarów jednostek elektronicznego sterowania pojazdem (ECU – Electronic control units). Inne potencjalne obszary stosowania tych elementów to przetwornice impulsowe, konwertery DC/DC, a także sterowniki silników.
Więcej informacji na stronach producenta: XPN3R804NC, XPN7R104NC, XPN6R706NC oraz XPN12006NC.
