LinkedIn YouTube Facebook
Szukaj

Newsletter

Proszę czekać.

Dziękujemy za zgłoszenie!

Wstecz
Aktualności

Nowy tranzystor mocy MOSFET od Vishay Intertechnology

Vishay Intertechnology wprowadził do oferty nowy tranzystor mocy MOSFET. Element SiSS52DN wykonano w technologii TrenchFET Gen V, oferuje napięcie pracy do 30 V, dużą gęstość mocy oraz sprawność energetyczną. Można go stosować w topologiach izolowanych oraz nieizolowanych.

Tranzystor oferuje rezystancję w stanie włączenia rzędu 0,95 mΩ przy 10 V i jest to poprawa o 5% względem poprzedniej generacji. Przy napięciu 4,5 V rezystancja wynosi 1,5 mΩ natomiast współczynnik FOM jest równy 29 mΩ*nC.

Więcej informacji na stronie http://www.vishay.com/ppg?79977

Tagi: MOSFET, Vishay