Nowy tranzystor mocy MOSFET od Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology wprowadził do oferty nowy tranzystor mocy MOSFET. Element SiSS52DN wykonano w technologii TrenchFET Gen V, oferuje napięcie pracy do 30 V, dużą gęstość mocy oraz sprawność energetyczną. Można go stosować w topologiach izolowanych oraz nieizolowanych.
Tranzystor oferuje rezystancję w stanie włączenia rzędu 0,95 mΩ przy 10 V i jest to poprawa o 5% względem poprzedniej generacji. Przy napięciu 4,5 V rezystancja wynosi 1,5 mΩ natomiast współczynnik FOM jest równy 29 mΩ*nC.
Więcej informacji na stronie http://www.vishay.com/ppg?79977


Creotech dołączył do projektu QKD i planuje stworzenie całej linii produktów z zakresu komunikacji kwantowej
Grupa Renex podsumowuje swoje działania w 2025 roku
Kancelaria JDP zaprasza na szkolenie: Jak przestawić fabrykę na produkcję dla sektora obronnego 





