Nowy tranzystor mocy MOSFET od Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology wprowadził do oferty nowy tranzystor mocy MOSFET. Element SiSS52DN wykonano w technologii TrenchFET Gen V, oferuje napięcie pracy do 30 V, dużą gęstość mocy oraz sprawność energetyczną. Można go stosować w topologiach izolowanych oraz nieizolowanych.
Tranzystor oferuje rezystancję w stanie włączenia rzędu 0,95 mΩ przy 10 V i jest to poprawa o 5% względem poprzedniej generacji. Przy napięciu 4,5 V rezystancja wynosi 1,5 mΩ natomiast współczynnik FOM jest równy 29 mΩ*nC.
Więcej informacji na stronie http://www.vishay.com/ppg?79977


Polska i Niemcy wzmacniają współpracę kolejową. Impuls dla rozwoju transgranicznej mobilności i sieci kolei dużych prędkości w UE
Imec przedstawia 7-bitowy przetwornik analogowo-cyfrowy typu slope o częstotliwości 175 GS/s z masywnym przeplotem czasowym
Grupa Volkswagen osiągnęła globalny kamień milowy – wyprodukowała 5 mln napędów elektrycznych 


![https://www.youtube.com/watch?v=kmvM5hVSzCM Piata już edycja konferencji Hardware Design Masterclasses dla elektroników zaskoczyła frekwencją, tym bardziej, że spotkanie było dwudniowe. Film jest krótką relacją z wydarzenia, bazującą na wypowiedziach prelegentów. [materiał redakcyjny] Zapraszamy do obejrzenia!](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/01/Rafal-tytulowe.png)

