Nowy, hybrydowy tranzystor IGBT z wbudowaną diodą SiC produkcji ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor wprowadził do oferty serię nowych hybrydowych tranzystorów IGBT ze zintegrowaną diodą Schottky’ego SiC 650 V. Elementy z serii RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR) są zgodne ze standardem AEC-Q101. Można je wykorzystać w aplikacjach przemysłowych i motoryzacyjnych, takich jak konwertery napięcia i układy ładowarki w pojazdach elektrycznych i hybrydowych.

Seria RGWxx65C wykorzystuje niskostratną diodę Schottky’ego z węglika krzemu (SiC), zaprojektowana przez firmę ROHM. Zastosowanie tego elementu pozwala na redukcję strat o 67% w stosunku do tradycyjnego tranzystora IGBT, a także o 24% w stosunku do tranzystora MOSFET z superzłączem. Ten efekt zapewnia zmniejszenie kosztu aplikacji w związku ze zmniejszeniem konsumpcji mocy.

Więcej informacji na stronie https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw