Portal Mikrokontroler.pl prezentuje aktualności ze świata elektroniki oraz materiały edukacyjne (tutoriale, przykładowe projekty)
Farnell ogłasza dostępność najnowszych, wysoce zoptymalizowanych produktów EliteSiC z węglika krzemu (SiC) dla rozwiązań infrastruktury energetycznej od onsemi. Elementy spełniają wymagania wydajnościowe nowej generacji dzięki zmniejszonym stratom przy przełączaniu w warunkach rzeczywistych. Coraz szybsze przejście […]
Toshiba wprowadziła do oferty pięć nowych tranzystorów MOSFET trzeciej generacji wykonanych z węgliku krzemu (SiC). Elementy mają napięcie znamionowe 650 V i zaprojektowano je do aplikacji w sprzęcie przemysłowym. Produkty cechują się wysoką sprawnością oraz […]
Teledyne LeCroy wprowadził do oferty nową sondę oscyloskopową 1 GHz izolowaną optycznie, a także oprogramowanie badawcze Power-Device. W połączeniu z oscyloskopami wysokiej klasy HDO pozwalają na precyzyjny pomiar charakterystyki układów opartych o Azotek galu (GaN) […]
STMicroelectronics wprowadził do oferty dwa dwukanałowe izolowane galwanicznie sterowniki bramek dla tranzystorów IGBT oraz MOSFET wykonanych z węgliku krzemu (SiC). Układy pozwalają na oszczędność miejsca i uproszczenie projektu w aplikacjach konwerterów wysokiego napięcia i systemach […]
Microchip wprowadził do oferty nowy dwukanałowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET z węgliku krzemu (SiC). Napięcie znamionowe sterownika 2ASC-12A2HP wynosi 1200 V. Układ służy do sterowania tranzystorów SiC w układach zasilania dużej mocy m.in. w autobusach […]
Microchip wprowadził do oferty rodzinę wydajnych i niezawodnych tranzystorów MOSFET z węgliku krzemu (SiC) o napięciu do 1700 V. Przeznaczone są do systemów ładowania dla pojazdów komercyjnych, inwerterów solarnych oraz innych aplikacji transportowych. Pozwalają spełnić […]
ROHM Semiconductor wprowadził do oferty serię nowych hybrydowych tranzystorów IGBT ze zintegrowaną diodą Schottky’ego SiC 650 V. Elementy z serii RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR) są zgodne ze standardem AEC-Q101. Można je wykorzystać w aplikacjach przemysłowych […]
ROHM Semiconductor zaprezentował pierwszy konwerter AC/DC z wbudowanym kluczem SiC MOSFET. Układ BM2SC12xFP2-LBZ w obudowie TO 263-7L zoptymalizowano dla aplikacji przemysłowych pomocniczych zasilaczy dla lamp ulicznych, systemów klimatyzacji, inwerterów, a także sterowników serwomechanizmów. Układ BM2SC12xFP2-LBZ […]
STMicroelectronics wprowadził do nowy, izolowany sterownik bramki z serii STGAP. Układ STGAP2SiCS bezpiecznie steruje tranzystorami MOSFET wykonanymi z węglika krzemu (SiC). Może być zasilany z wysokiego napięcia nawet do 1200 V. Układ jest w stanie […]
Toshiba Electronics Europe GbmH wprowadziła do oferty nowe tranzystory MOSFET z węgliku krzemu (SiC). Elementy MG800FXF2YMS3 zawierają dwa kanały MOSFET o dopuszczalnym napięciu do 3300 V zdolne do obsługi prądów do 800 A. Tranzystory są […]