Nowy, hybrydowy tranzystor IGBT z wbudowaną diodą SiC produkcji ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor wprowadził do oferty serię nowych hybrydowych tranzystorów IGBT ze zintegrowaną diodą Schottky’ego SiC 650 V. Elementy z serii RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR) są zgodne ze standardem AEC-Q101. Można je wykorzystać w aplikacjach przemysłowych i motoryzacyjnych, takich jak konwertery napięcia i układy ładowarki w pojazdach elektrycznych i hybrydowych.
Seria RGWxx65C wykorzystuje niskostratną diodę Schottky’ego z węglika krzemu (SiC), zaprojektowana przez firmę ROHM. Zastosowanie tego elementu pozwala na redukcję strat o 67% w stosunku do tradycyjnego tranzystora IGBT, a także o 24% w stosunku do tranzystora MOSFET z superzłączem. Ten efekt zapewnia zmniejszenie kosztu aplikacji w związku ze zmniejszeniem konsumpcji mocy.
Więcej informacji na stronie https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw
14 innowacyjnych projektów obronnych otrzyma dofinansowanie z programu PERUN 
Projekt SHUTTLE otrzymał dofinansowanie w ramach programu „Cyfrowa Europa” 
MSPO 2026 – rekordowa edycja targów z Kanadą w roli głównej i PGZ w nowej hali 
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
![Szymon Robak oprowadza po katowickim Laboratorium Badań Kompatybilności Elektromagnetycznej w Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytucie Sztucznej Inteligencji i Cyberbezpieczeństwa. Zapraszamy na film! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/06/Szymon-Robak-tytulowe.png "https://www.youtube.com/watch?v=gHcP8AajoN4")
