Toshiba wprowadziła do oferty dwa nowe transoptory: TLP5705H oraz TLP5702H w cienkich obudowach SO6L. Układy można stosować w sterownikach bramki IGBT i MOSFET. Układy są już dostępne do wysyłki.
Transoptor TLP5705H jest w stanie przenosić prąd szczytowy do ±5 A. Obudowa SO6L ma wysokość jedynie 2,3 mm. Dzięki temu układy można używać w małych lub średnich inwerterach i sterownikach serwomechanizmów używających buforów do wzmacniania prądu. Duży prąd zapewnia możliwość sterowania tranzystora bezpośrednio z transoptora, bez dodatkowego bufora.
Transoptor TLP5702H zapewnia przenoszenie prądu szczytowego do ±2,5 A. Obudowa SO6L jest w pełni zgodna ze standardową obudową SDIP6, co umożliwia łatwą wymianę elementów. Cieńsza obudowa zapewnia łatwiejsze spełnienie wymagań dotyczących rozmiarów układu.
Oba elementy mogą pracować w zakresie temperatur od -40°C do +125°C.
