Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty dwa nowe transoptory – TLP5705H oraz TLP5702H – w kompaktowych obudowach SO6L. Są przeznaczone do izolowanych driverów bramek małych i średnich tranzystorów IGBT i MOSFET. Dzięki wzmocnionej konstrukcji są idealne do aplikacji w urządzeniach przemysłowych, m.in. inwerterach, sterownikach serwomechanizmów, inwerterach fotowoltaicznych, a także zasilaczach UPS.

TLP5705H to pierwszy transoptor w ofercie Toshiby oferujący szczytową wydajność prądową do ±5 A. Natomiast TLP5702H oferuje wydajność szczytową rzędu ±2,5 A. Oznacza to, że tranzystory można sterować bezpośrednio z transoptora. Eliminuje to konieczność stosowania układów buforowych, upraszcza projekt, zmniejsza koszty, a także minimalizuje wymiary układu.

Obudowa SO6L ma zajmuje na płytce powierzchnię jedynie 10.0mm x 3.84mm. Jest zgodna wymiarowo z obudową SDIP6 , co daje możliwość prostego zastąpienia wcześniej stosowanych transoptorów, takich jak TLP700H. Nowa obudowa na niższy profil – jedynie 2,3 mm (dla porównania SDIP6 ma wysokość 4,25 mm). Dostępne są także warianty TLP5702H(LF4) oraz TLP5705H(LF4) o identycznych parametrach, ale w obudowach o nieco szerszym rozstawie rzędów wyprowadzeń.

Transoptory mogą pracować z napięciem w zakresie od 15 do 30 V. Czas propagacji sygnału to jedynie 200 ns. Mogą pracować w temperaturach od -40°C do +125°C.

Więcej informacji na stronach produktów: TLP5702H oraz TLP5705H.