Podwójne sterowniki bramek IGBT i SiC MOSFET od STMicroelectronics
STMicroelectronics wprowadził do oferty dwa dwukanałowe izolowane galwanicznie sterowniki bramek dla tranzystorów IGBT oraz MOSFET wykonanych z węgliku krzemu (SiC). Układy pozwalają na oszczędność miejsca i uproszczenie projektu w aplikacjach konwerterów wysokiego napięcia i systemach przemysłowych.
Układy STGAP2HD dla tranzystorów IGBT, a także STGAP2SICD dla SiC MOSFET korzysta z najnowszych technologii izolacji galwanicznej. Oferują izolację 6 kV dla stanów przejściowych w szerokiej obudowie SO-36W. Dodatkowo, odporność na stany przejściowe o narastaniu szybszym niż ±100 V/ns chroni przed przypadkowymi włączeniami układu w bardzo zaszumionym środowisku. Układy mogą dostarczyć do bramki prąd nawet do 4 A, a podwójne wyjścia sterujące zapewniają dodatkową elastyczność, m.in. w regulacji osobnych czasów włączenia i wyłączenia. Aktywny układ Millera ogranicza szpilki sygnału na wyjściu bramki przy szybkiej komutacji w topologii półmostka.
Więcej informacji na stronach produktu STGAP2HD oraz STGAP2SICD
Würth Elektronik uruchamia program partnerski 
Odszedł prof. Jan Szmidt – zasłużony dla polskiej nauki wybitny elektronik i nauczyciel akademicki 
Rekordowe zapotrzebowanie na moc w Warszawie – sieć Stoen Operator pracuje stabilnie i bezpiecznie 
![Piata już edycja konferencji Hardware Design Masterclasses dla elektroników zaskoczyła frekwencją, tym bardziej, że spotkanie było dwudniowe. Film jest krótką relacją z wydarzenia, bazującą na wypowiedziach prelegentów. [materiał redakcyjny] Zapraszamy do obejrzenia!](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/01/Rafal-tytulowe.png "https://www.youtube.com/watch?v=kmvM5hVSzCM")
