Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty nowy sterownik bramki MOSFET. Układ TCK421G jest w stanie kontrolować napięcie bramki zewnętrznego tranzystora N-MOSFET w oparciu o napięcie wejściowe.

Sterownik zawiera układ pompy ładunku obsługujący szeroki zakres napięć wejściowych – od 2,7 do 28,0 V. Zapewnia stałe napięcie 10 V na wrota bramka-źródło tranzystora co ułatwia przełączanie dużych prądów. Typowy prąd spoczynkowy w stanie włączenia wynosi 140 µA, a w stanie wyłączenia – jedynie 0,5 µA. Dodatkowo układ TCK421G zawiera zabezpieczenia przed zbyt niskim i zbyt wysokim napięciem. Umożliwia także dobór napięcia sterowania bramki do potrzeb aplikacji.

Układ jest dostępny w niezwykle miniaturowej obudowie WCSP6G o wymiarach 1,2 x 0,8 mm i wysokości 0,35 mm.

Więcej informacji na stronie produktu TCK421G