Pierwsza nieulotna pamięć F-RAM dla przemysłu kosmicznego od Infineon

Firma Infineon Technologies wprowadził na rynek pierwszą odporną na promieniowanie pamięć RAM dla aplikacji w przemyśle kosmicznym i innych ekstremalnych warunkach środowiskowych. Ferroelektryczna pamięć RAM (F-RAM) oferuje interfejs szeregowy, a także większą niezawodność  w stosunku do dedykowanych pamięci nieulotnych EEPROM czy NOR Flash.

Pamięci mają certyfikację QML-V. Są idealne do przechowywania danych kluczowych dla misji, danych telemetrycznych, a także dotyczących kalibracji. Doskonale sprawdzi się także do przechowywania kodu uruchomieniowego dla mikrokontrolerów, układów FPGA i ASIC.

Układy obsługują standardowy interfejs szeregowy SPI. Interfejsy szeregowe są w aplikacjach kosmicznych i satelitarnych stosowane powszechnie, a układy produkowane dla przemysłu kosmicznego zazwyczaj obsługują ten protokół.

Pamięć F-RAM o pojemności 2 Mb to pierwszy układ nielotnej pamięci F-RAM zabezpieczona przed promieniowaniem jonizującym. Cechuje się bardzo wysoką, praktycznie nieskończoną wytrzymałością – 10 bilionów cykli zapisu/odczytu oraz 120 lat przechowywania danych w temp. 85°C. Zakres napięcia pracy wynosi od 2,0 V do 3,6 V. Prąd pracy wynosi maks. 10 mA, a pamięć można programować przy napięciu nawet 2,0 V.

Produkty sprawdzą się również w lotnictwie i innych systemach wymagających pracy w zakresie temperatur -55°C – +125°C. Są dostępne w niewielkiej, ceramicznej, 16-pinowej obudowie SOP. Parametry ochrony radiacyjnej wynoszą:

• TID: >150 Krad (Si)
• SEL: >114 MeV·cm ²/mg @115°C
• SEU: odporny
• SEFI: <1.34 * 10-4 err/dev.day

Więcej informacji na stronie https://www.infineon.com/hirelmemory