Modele G2 SPICE dla tranzystorów MOSFET Toshiba
Toshiba Electronics Europe opublikowała dokładne modele G2 SPICE, co umożliwi symulację układów wykorzystujących elementy produkowane przez firmę. W przeciwieństwie do wcześniej dostępnych modeli G0 SPICE, zoptymalizowanych pod kątem szybkości obliczeń, modele G2 SPICE umożliwiają bardziej precyzyjną symulację transjentów.
Modele elementów dyskretnych zaprojektowano w formacie makromodeli. Składają się więc z serii elementów wirtualnych komponentów modelujących strukturę układu oraz charakterystyki elektryczne. Dzięki takiemu podejściu można osiągnąć wyższą dokładność symulacji, zwłaszcza w obszarach wysokiego prądu charakterystyki ID-VDS, a także w kontekście wpływu napięcia na pojemności pasożytnicze.
Dostępne są modele G2 SPICE niskonapięciowych kluczy MOSFET (12-300 V) oraz średnio- i wysokonapięciowych MOSFETów (400 – 900 V). Dostępne są modele na PSpice oraz LTSpice.
Modele można znaleźć na stronie https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately-download.html
Europejski satelita meteorologiczny nowej generacji przesyła pierwsze zdjęcia 
Powerdot ma ponad 1100 punktów ładowania samochodów elektrycznych w Polsce 
Szyfratory Enigmy uzyskały certyfikat Służby Kontrwywiadu Wojskowego 
![Piata już edycja konferencji Hardware Design Masterclasses dla elektroników zaskoczyła frekwencją, tym bardziej, że spotkanie było dwudniowe. Film jest krótką relacją z wydarzenia, bazującą na wypowiedziach prelegentów. [materiał redakcyjny] Zapraszamy do obejrzenia!](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/01/Rafal-tytulowe.png "https://www.youtube.com/watch?v=kmvM5hVSzCM")
