LinkedIn YouTube Facebook
Szukaj

Newsletter

Proszę czekać.

Dziękujemy za zgłoszenie!

Wstecz
Aktualności

Modele G2 SPICE dla tranzystorów MOSFET Toshiba

Toshiba Electronics Europe opublikowała dokładne modele G2 SPICE, co umożliwi symulację układów wykorzystujących elementy produkowane przez firmę. W przeciwieństwie do wcześniej dostępnych modeli G0 SPICE, zoptymalizowanych pod kątem szybkości obliczeń, modele G2 SPICE umożliwiają bardziej precyzyjną symulację transjentów.

Modele elementów dyskretnych zaprojektowano w formacie makromodeli. Składają się więc z serii elementów wirtualnych komponentów modelujących strukturę układu oraz charakterystyki elektryczne. Dzięki takiemu podejściu można osiągnąć wyższą dokładność symulacji, zwłaszcza w obszarach wysokiego prądu charakterystyki ID-VDS, a także w kontekście wpływu napięcia na pojemności pasożytnicze.

Dostępne są modele G2 SPICE niskonapięciowych kluczy MOSFET (12-300 V) oraz średnio- i wysokonapięciowych MOSFETów (400 – 900 V). Dostępne są modele na PSpice oraz LTSpice.

Modele można znaleźć na stronie https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately-download.html