Farnell ogłasza dostępność najnowszych, wysoce zoptymalizowanych produktów EliteSiC z węglika krzemu (SiC) dla rozwiązań infrastruktury energetycznej od onsemi. Elementy spełniają wymagania wydajnościowe nowej generacji dzięki zmniejszonym stratom przy przełączaniu w warunkach rzeczywistych.
Coraz szybsze przejście na dekarbonizację powoduje przesunięcie popytu w kierunku instalacji większej ilości systemów infrastruktury energetycznej, obejmujących szybkie ładowarki prądu stałego (DCFC), inwertery solarne i systemy magazynowania energii z akumulatorów (BESS).
Zastosowanie stopni mocy opartych na węgliku krzemu ma kluczowe znaczenie dla zmniejszenia strat, zwiększenia gęstości mocy i zmniejszenia kosztów chłodzenia. Wybór wytrzymałych elementów mocy SiC, jest kluczowym elementem projektowania długo działających, wytrzymałych systemów infrastruktury energetycznej. Produkty onsemi mogą skrócić czas projektowania, jednocześnie przekraczając normy gęstości mocy i zmniejszając straty mocy.
Typowe zastosowania urządzeń EliteSiC od onsemi obejmują zasilacze UPS, przetwornice DC/DC, falowniki podwyższające (boost), falowniki słoneczne, stacje ładowania pojazdów elektrycznych i przemysłowe systemy zasilania. Elementy te nie zawierają ołowiu, halogenków i są zgodne z dyrektywą RoHS.
Produkty onsemi dostępne od ręki w Farnell to:
- EliteSiC Power, Single N-Channel — charakteryzujące się następującymi parametrami: typ. RDS(on)=80 m, niski ładunek bramki (typ. QG(tot) = 56 nC), niska efektywna pojemność wyjściowa (typ. Coss = 79 pF), TJ = 175°C i 100% testów lawinowych.
- EliteSiC MOSFET NXH006P120MNF2 — moduł zasilania zawierający półmostek SiC MOSFET 6 m /1200 V i termistor w obudowie F2. Opcje obejmują dostawę z lub bez wstępnie nałożonego materiału termoprzewodzącego (TIM) oraz wtyki lutowane lub wciskane.
Nowe rozwiązania od onsemi w zakresie infrastruktury energetycznej są już dostępne w magazynach Farnell.
