X-FAB rozwija wysokonapięciowy proces produkcyjny 180 nm dla układów automotive
X-FAB Silicon Foundries zmodernizował platformę produkcyjną CMOS wysokich napięć. Wprowadził na rynek nowe układy 40 V i 60 V. Te układy poszerzyły strefę bezpiecznej pracy (SOA), co poprawiło ich niezawodność.
Układy nowej generacji oferują znaczącą spadek, aż o połowę, rezystancji RDS(on) układów. To zapewnia zgodność z niektórymi przypadkami użycia, zwłaszcza gdy należy zmniejszać rozmiar i cenę układu.
Platforma XP018 to wysokonapięciowa technologia produkcyjna w rozmiarze 180 nm. Jest zbudowana wokół pojedynczego modułu bramki pracującego z niewielką liczbą mask na napięcie 5 V. Układy te są w stanie pracować w temperaturze od -40°C do 175°C. Mogą zawierać dodatkowe elementy, takie jak układy bipolarne o dużym wzmocnieniu, kondensatory MIM diody Schottky’ego i inne.
Źródło: Materiały prasowe
Intel inwestuje 5 mld EUR w rozbudowę produkcji w Europie 
ICEYE zakłada spółkę w Niemczech 
Infineon dostarcza technologię SiC firmie ADVANTICS 
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
