Łukasiewicz – Instytut Elektroniki i Fotoniki poinformował na swoim profilu na LinkedIn o spotkaniu konsorcjum projektu GaNLIN we Wrocławiu. Naukowcy z Łukasiewicz-IMiF, w tym kierownik projektu Anna Szerling oraz kierownik prac B+R Andrzej Taube, odwiedzili Łukasiewicz-PORT, aby wspólnie z pozostałymi partnerami projektu (Łukasiewicz-PIT i Łukasiewicz-ITR) omówić konstrukcję przyrządów, postępy w pracach, osiągnięcia i wyzwania, metody weryfikacji wyników oraz, the last but not least, potencjał komercjalizacji technologii.

Celem projektu jest wprowadzenie na rynek polskiego tranzystora GaN HEMT (high electron mobility transistor) 650V i 1200 V do układów energoelektronicznych dla przemysłu wysokich mocy. Takie rozwiązanie da krajowemu przemysłowi możliwość wprowadzenia innowacyjnych rodzimych rozwiązań technologicznych w dziedzinie elektroniki do własnych produktów i wytworów działalności gospodarczej. Spowoduje to zwiększenie konkurencyjności polskich przedsiębiorstw na rynku europejskim i światowym. Do spełnienia tego celu zostanie opracowana technologia wysokonapięciowych tranzystorów w Łukasiewicz- IMIF, zweryfikowana i skonsultowana z ITRI oraz wyprodukowana przez UMC. Technologia dla napięcia 650V jest obecnie na TRL 6. Po zakończeniu będzie TRL 9. Technologia dla innych klas napięciowych (100V, 200V, 750V, 950V 1200V) jest obecnie na TRL 3. Jednak przejście na wyższy poziom TRL będzie stosunkowo szybkie, uwzględniając skalowanie opracowanej technologii 650V na wyższe (bądź niższe) napięcia.

Wartość projektu to ponad 7,6 mln PLN. Dofinansowanie ze środków budżetu państwa wynosi ponad 6,6 mln PLN. Dofinansowanie dla PORT to prawie 1,6 mln PLN. Kierownikiem projektu jest prof. dr hab. inż. Robert Kudrawiec.

Czas realizacji projektu:  od 1 lutego 2023 roku do 31 grudnia 2025 roku.

Źródło: Łukasiewicz – IMiF

Tranzystory na 1200V i 900V nie są jeszcze dostępne na rynku i to one w pierwszej kolejności będą celem projektu. Następnie nowa architektura będzie skalowana na niższe napięcia. W ramach prac planowany jest rozwój platformy technologicznej tranzystorów GaN HEMT na podłożach krzemowych w oparciu o własne oryginalne prace badawcze. Kluczowa, oryginalna cześć technologii będzie chroniona poprzez złożenie odpowiednich wniosków patentowych albo jest w trakcie rozpatrywania wniosków patentowych chroniących oryginalne rozwiązania w zakresie elementów technologii tranzystorów GaN HEMT.

Łukasiewicz-IMiF posiada know-how dotyczące wytwarzania i projektowania topologii tranzystorów GaN HEM w tym kluczowych operacji technologicznych np. kształtowania obszaru bramki dla normalnie wyłączonych tranzystorów GaN HEMT czy też wytwarzania stabilnych termicznie, planarnych izolacji poszczególnych przyrządów za pomocą implantacji jonów. Tranzystory na napięcia 650V i niższe już dostępne są na rynku natomiast technologia opracowana przez Łukasiewicz IMIF będzie (przynajmniej częściowo) inną od obecnie oferowanych, która będzie mogła być zabezpieczona wyłącznymi prawami własności intelektualnej.

Źródło: Łukasiewicz IMiF