Schaeffler, niemiecki dostawca części samochodowych, rozpoczął seryjną produkcję nowego modułu falownika wysokiego napięcia, wyposażonego w układy MOSFET SiC firmy ROHM. Moduł falownika jest przeznaczony dla chińskiego producenta samochodów.

Thomas Stierle, dyrektor generalny działu e-mobilności w firmie Schaeffler oraz dr Kazuhide Ino, członek zarządu i dyrektor wykonawczy w firmie ROHM

Podmoduł falownika Schaeffler jest centralnym elementem elektroniki mocy (modułem) i umożliwia niezawodne sterowanie napędem elektrycznym za pomocą sygnałów logicznych. Generuje impulsy prądu o wysokiej częstotliwości, które wprawiają w ruch silnik elektryczny pojazdu. Firma Schaeffler znacznie zwiększyła wydajność modułu, podnosząc maksymalne możliwe napięcie akumulatora znacznie powyżej standardowych 800 V – i to przy prądach skutecznych do 650 A, co sprawia, że podmoduł jest kompaktowym pakietem mocy.

– Dzięki naszemu strategicznemu podejściu do skalowalności i modułowości naszych rozwiązań w zakresie elektromobilności – od pojedynczych komponentów po wysoce zintegrowane osie elektryczne – opracowaliśmy łatwy w integracji moduł falownika Brick. W oparciu o ogólny rozwój platformy udało nam się w ciągu zaledwie jednego roku wprowadzić do seryjnej produkcji ten optymalny produkt dla popularnych w Chinach architektur X-in-1 – powiedział Thomas Stierle, dyrektor generalny działu e-mobilności w firmie Schaeffler.

Modułowość i skalowalność jako klucz do łatwej integracji

Jako centralny element falownika, moduł Brick musi spełniać wysokie wymagania. Właściwości podmodułu sprzyjają obecnemu sukcesowi sprzedażowemu i rozpoczęciu produkcji seryjnej: modułowe i skalowalne półprzewodniki mocy z węglika krzemu (SiC) firmy ROHM umożliwiają kompaktową, wydajną i łatwą integrację podmodułu montowanego na ramie o wysokiej gęstości mocy w różnych falownikach.

W podmodule zintegrowano moduł mocy do modulacji szerokości impulsu (PWM) impulsów prądu, kondensator obwodu pośredniego, łącznik DC oraz chłodnicę. Ponadto moduł Brick posiada funkcję DC-Boost, dzięki której pojazd o architekturze 800 V może być ładowany również przy stacji ładowania 400 V z prędkością 800 V.

– Cieszymy się z rozpoczęcia seryjnej produkcji modułu Inverter Brick firmy Schaeffler z wykorzystaniem naszych komponentów mocy SiC czwartej generacji. Dzięki naszej technologii SiC w znacznym stopniu przyczyniamy się do zwiększenia wydajności i mocy pojazdów elektrycznych. Wspólnie z firmą Schaeffler jako partnerem promujemy w ten sposób innowacyjność i zrównoważony rozwój w przemyśle motoryzacyjnym – dodał dr Kazuhide Ino, członek zarządu i dyrektor zarządzający w ROHM.

Strategiczne partnerstwo firmy Schaeffler (rozpoczęte pod nazwą Vitesco Technologies) z firmą ROHM istnieje już od 2020 roku i obejmuje zapewnienie zdolności produkcyjnych w zakresie energooszczędnych półprzewodników mocy SiC.

Źródło: informacje prasowe

Grupa Schaeffler od ponad 75 lat promuje przyszłościowe wynalazki i rozwiązania w dziedzinie technologii ruchu. Dzięki innowacyjnym technologiom, produktom i usługom w obszarach elektromobilności, napędów niskoemisyjnych, rozwiązań podwoziowych i energii odnawialnej firma jest partnerem w zakresie zwiększania wydajności, inteligencji i zrównoważonego rozwoju ruchu przez cały cykl życia produktu. Schaeffler opisuje swoją kompleksową ofertę produktów i usług w oparciu o osiem rodzin produktów: od rozwiązań łożyskowych i prowadnic liniowych wszelkiego rodzaju po usługi naprawcze i monitorujące. Zatrudnia około 120 tysięcy pracowników w ponad 250 lokalizacjach w 55 krajach. Jest jedną z największych firm rodzinnych na świecie i należy do najbardziej innowacyjnych przedsiębiorstw w Niemczech.

ROHM Semiconductor, producent półprzewodników i komponentów elektronicznych, został założony w 1958 roku. Dostarcza układy scalone, elementy dyskretne i komponenty elektroniczne poprzez globalną sieć sprzedaży dla rynku motoryzacyjnego, wyposażenia przemysłowego oraz sektora konsumenckiego i komunikacyjnego. Oferuje zoptymalizowane rozwiązania dla całych systemów, łącząc komponenty peryferyjne (np. tranzystory, diody, rezystory) z najnowszymi elementami mocy SiC oraz układami scalonymi sterowników.