Nowy, hybrydowy tranzystor IGBT z wbudowaną diodą SiC produkcji ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor wprowadził do oferty serię nowych hybrydowych tranzystorów IGBT ze zintegrowaną diodą Schottky’ego SiC 650 V. Elementy z serii RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR) są zgodne ze standardem AEC-Q101. Można je wykorzystać w aplikacjach przemysłowych i motoryzacyjnych, takich jak konwertery napięcia i układy ładowarki w pojazdach elektrycznych i hybrydowych.
Seria RGWxx65C wykorzystuje niskostratną diodę Schottky’ego z węglika krzemu (SiC), zaprojektowana przez firmę ROHM. Zastosowanie tego elementu pozwala na redukcję strat o 67% w stosunku do tradycyjnego tranzystora IGBT, a także o 24% w stosunku do tranzystora MOSFET z superzłączem. Ten efekt zapewnia zmniejszenie kosztu aplikacji w związku ze zmniejszeniem konsumpcji mocy.
Więcej informacji na stronie https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw
Würth Elektronik uruchamia program partnerski 
Odszedł prof. Jan Szmidt – zasłużony dla polskiej nauki wybitny elektronik i nauczyciel akademicki 
Rekordowe zapotrzebowanie na moc w Warszawie – sieć Stoen Operator pracuje stabilnie i bezpiecznie 
![Piata już edycja konferencji Hardware Design Masterclasses dla elektroników zaskoczyła frekwencją, tym bardziej, że spotkanie było dwudniowe. Film jest krótką relacją z wydarzenia, bazującą na wypowiedziach prelegentów. [materiał redakcyjny] Zapraszamy do obejrzenia!](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/01/Rafal-tytulowe.png "https://www.youtube.com/watch?v=kmvM5hVSzCM")
