Podwójne sterowniki bramek IGBT i SiC MOSFET od STMicroelectronics
STMicroelectronics wprowadził do oferty dwa dwukanałowe izolowane galwanicznie sterowniki bramek dla tranzystorów IGBT oraz MOSFET wykonanych z węgliku krzemu (SiC). Układy pozwalają na oszczędność miejsca i uproszczenie projektu w aplikacjach konwerterów wysokiego napięcia i systemach przemysłowych.
Układy STGAP2HD dla tranzystorów IGBT, a także STGAP2SICD dla SiC MOSFET korzysta z najnowszych technologii izolacji galwanicznej. Oferują izolację 6 kV dla stanów przejściowych w szerokiej obudowie SO-36W. Dodatkowo, odporność na stany przejściowe o narastaniu szybszym niż ±100 V/ns chroni przed przypadkowymi włączeniami układu w bardzo zaszumionym środowisku. Układy mogą dostarczyć do bramki prąd nawet do 4 A, a podwójne wyjścia sterujące zapewniają dodatkową elastyczność, m.in. w regulacji osobnych czasów włączenia i wyłączenia. Aktywny układ Millera ogranicza szpilki sygnału na wyjściu bramki przy szybkiej komutacji w topologii półmostka.
Więcej informacji na stronach produktu STGAP2HD oraz STGAP2SICD
Dr inż. Sławosz Uznański-Wiśniewski otrzymał dyplom doktora honoris causa 
AREX z Grupy WB wspiera transport zeroemisyjny we Włocławku 
Odporne na promieniowanie układy scalone firmy Renesas wzięły udział w załogowej misji księżycowej NASA „Artemis II” 
