Toshiba Electronics Europe GbmH wprowadziła do oferty nowe tranzystory MOSFET z węgliku krzemu (SiC). Elementy MG800FXF2YMS3 zawierają dwa kanały MOSFET o dopuszczalnym napięciu do 3300 V zdolne do obsługi prądów do 800 A. Tranzystory są […]
Społeczność element14 prezentuje webinarium: „5 rzeczy, jakie musisz wiedzieć na temat przetwornic obniżających”
Społeczność element14.com, wspólnie z Simonem Foley’em, piastującym stanowisko Market Development Manager w firmie Vishay, zapraszają do udziału w anglojęzycznym webinarium zatytułowanym „5 rzeczy, jakie musisz wiedzieć na temat przetwornic obniżających” (ang.: „5 Things to Know About […]
Izolowane sterowniki bramek SiC z oferty Maxim Integrated
Maxim Integrated wprowadził do produkcji izolowany sterownik bramek tranzystorów SiC – układ MAX22701E. Za pomocą tego układu projektanci systemów wysokiej mocy i wysokiego napięcia mogą znacznie zwiększyć sprawność energetyczną oraz ograniczyć straty mocy. Sterownik można […]
Microchip wprowadza do produkcji elementy wykonane z węgliku krzemu (SiC)
Microchip, za pośrednictwem marki Microsemi, wprowadził do produkcji rodzinę elementów z węgliku krzemu (SiC). Elementy wykonane z tego materiału oferują dużą wytrzymałość oraz wydajność. Produkty pomagają spełnić rosnące wymagania na sprawność energetyczną, wytrzymałość oraz gęstość […]
Nowe diody Schottky’ego SiC 650 V z oferty Littelfuse
Littelfuse wprowadził do produkcji nowe produkty z rodziny diod Schottky’ego SiC z kwalifikacją AEC-Q101. Obie serie, LSIC2SD065DxxxA oraz LSIC2SD065ExxCCA, oferują projektantom rozmaite zalety w stosunku do tradycyjnych diod krzemowych, m.in. niewielki prąd przełączania, odporność na […]
Texas Instruments prezentuje sterowniki IGBT/SiC MOSFET ze zintegrowanymi zabezpieczeniami
Texas Instruments zaprezentował nowe sterowniki bramki IGBT/SiC MOSFET. Układy charakteryzują się dużymi możliwościami w zakresie monitorowania, a także wszechstronnymi zabezpieczeniami. Sterowniki oznaczone numerami UCC21710-Q1, UCC21732-Q1 oraz UCC21750 pozwalają na projektowanie mniejszych i wydajniejszych układów, tj. […]
Infineon przedstawia moduły zasilania CoolSiC-MOSFET
Infineon Technologies wprowadził do produkcji nowe moduły 1200V CoolSiC MOSFET oparte o nowoczesny materiał półprzewodnikowy, węglik krzemu (SiC). Moduły zasilania CoolSiC Easy 2B pozwalają inżynierom na redukcję kosztów dzięki zwiększeniu gęstości mocy. Dodatkowo, dzięki ok. […]