Wykorzystanie zaawansowanych możliwosci pamięci EEPROM w mikrokontrolerach Kinetis
W kolejnym przykładzie omówiona zostanie konfiguracja EEE, która zapewnia maksymalny rozmiar pamięci danych EEE przy jednoczesnej jak największej trwałości tej ilości danych. Maksymalny możliwy rozmiar danych EEE to 4 kB. Jeśli cała FlexNVM zostanie skonfigurowana jako E-Flash (256 kB), można otrzymać najdłuższą osiągalną żywotność przy ustawieniu EEE na 4 kB. W tym przykładzie podział EEE jest ustawiony na ½, zatem trwałość całego obszaru 4 kB EEE jest jednakowa. Wykorzystując wzór na żywotność można wyznaczyć oczekiwaną żywotność systemu. Ponieważ rozmiary podsystemów A i B są równe, równa jest również ich trwałość. Dla podsystemów A i B, przy dostępnie 16- i 32-bitowym, oczekiwana żywotność wynosi:
Na rysunku 5 pokazano w jaki sposób FlexNVM i FlexRAM zostały wykorzystane w tej konfiguracji
Rys. 5. Konfiguracja EEE z pamięcią E-Flash równą 256 kB, podsystem A = 2 kB, podsystem B = 2 kB
W tym przykładzie skonfigurowana FlexVM do użycia jako połączenie D-Flash i E-Flash. Pamięć FlexNVM została podzielona na pół, by uzyskać 128 kB pamięci D-Flash i 128 kB E-Flash. Przestrzeń EEE została ustawiona na 2 kB i ponownie rozdzielona między podsystemy A i B po ½. Porównując ten przykład do przykładu 2, zarówno rozmiar E-Flash, jak i EEE został zmniejszony o połowę. Ponieważ stosunek wielkości E-Flash do EEE pozostaje taki sam, oczekiwana żywotność również pozostaje bez zmian. Korzystając ze wzoru na żywotność można obliczyć oczekiwaną trwałość dla obu podsystemów EEE. Zauważmy, że wynik jest taki sam, jak w przykładzie 2. Dla podsystemu A lub przy założeniu dostępu 16- i 32-bitowego, oczekiwana żywotność jest równa:
Na rysunku 6 przedstawiono w jaki sposób bloki FlexNVM i FlexRAM są wykorzystywane w tej konfiguracji.
Rys. 6. Konfiguracja EEE z pamięcią E-Flash = 128 kB, podsystem A = 1 kB, podsystem B = 1 kB
W następnym przykładzie FlexNVM została skonfigurowana jako połączenie pamięci D-Flash i E-Flash. W tym wypadku 192 kB FlexNVM jest używane jako D-Flash, a 64 kB jako E-Flash. Rozmiar danych EEE został ustawiony na 2 kB, jednak tym razem podział EEE jest ustawiony na ¼. Wówczas podsystem A ma 512 bajtów, a podsystem B – 1536 bajtów. Korzystając ze wzoru na żywotność można wyznaczyć oczekiwaną trwałość dla obu podsystemów EEE. Dla podsystemu A, przy założeniu dostępu 16- i 32-bitowego, oczekiwana żywotność wynosi:
Dla podsystemu B przy założeniu dostępu 16- i 32-bitowego, oczekiwana żywotność wynosi:
Na rysunku 7 pokazano w jaki sposób bloki FlexNVM i FlexRAM są wykorzystywane w tej konfiguracji.
Rys. 7. Konfiguracja EEE z pamięcią E-Flash = 64 kB, podsystem A = 512 kB, podsystem B = 1536 kB
Efektywnie zarządzaj energią z inteligentnym przekładnikiem prądowym, pracującym w sieci LoRaWAN 
GUS Technology i Toshiba podpisały umowę dotyczącą nowej generacji baterii litowo-jonowych z anodami NTO 
Potwierdzona skuteczność AI na froncie w Ukrainie 
