Infineon TLD5085: zasilacz mocy DC/DC, w aplikacji z LED P4 firmy Seoul Semiconductor
Układ TLD5085EJ jest przeznaczony do zasilania LED dużej mocy (nawet do 1,8 A) przy zasilaniu napięciem aż do 45V. Ma możliwość regulacji jasności świecenia zasilanych LED z wykorzystaniem PWM, ma także wbudowane: zabezpieczenie termiczne oraz układ „miękkiego” startu. Budowa i parametry układu umożliwiają jego zastosowanie w urządzeniach związanych z motoryzacją.
Podstawowe cechy i parametry układuTLD5085EJ:
|
Na rysunku 1 przedstawiono schemat aplikacyjny układu TLD5085EJ wykorzystany w prezentowanym projekcie (schemat elektryczny zestawu testowego pokazano na rysunku 2). Napięcie zasilania o wartości od 4,75V do 45V doprowadzone jest do wejścia VS. Zwarcie do masy wejścia EN wprowadza układ w stan uśpienia, jeśli nie będzie używane powinno zostać połączone z VS. Na wejście PWMI można podać sygnał prostokątny o częstotliwości do kilku kiloherców i amplitudzie do +45V. Zmiana wypełnienia sygnału płynnie reguluje świecenie diod LED, jeżeli ta funkcja nie będzie używana wejście PWMI powinno zostać zwarte do wejścia VS. Do wejścia COMP dołączono kompensujący układ RC o typowych wartościach 22kΩ i 22nF. Wartość kondensatora Cbootstrap powinna wynosić 220 nF. Wyprowadzenie BUO jest wyjściem tranzystora przełączającego do którego dołączony jest dławik z którego pobierany jest prąd zasilający diody LED obciążające układ. Indukcyjność zastosowanego dławika Lbu1 powinna zawierać się w przedziale 18 – 56µH natomiast pojemność kondensatora Cbu1 to 33…120µF (typowo 100µF).
Rys. 1. Zalecany schemat aplikacyjny układu TLD5085 w trybie stabilizacji napięcia
Maksymalny prąd wyjściowy obciążenia ustawia się przez dobranie wartości rezystancji Rfb. Można ją obliczyć korzystając z wzoru:
Rfb[Ω]= 0,6[V]/ILED[A]
Przykładowo dla prądu zasilania LED 1 A wartość rezystancji Rfb powinna wynieść 0,6Ω, natomiast dla prądu o natężeniu 0,7 A – około 0,86Ω.
Rys. 2. Schemat zestawu testowego – stabilizowany jest prąd wyjściowy układu, zasilający LED (płytkę z trzema LED należy dołączyć do złącza JP2 zachowując odpowiednią polaryzację)
Obudowa układu TLD5085EJ posiada na spodniej stronie metalową wkładkę pozwalającą na sprawne odprowadzanie ciepła z układu. Jej dolna płaszczyzna powinna mieć jak najlepszy kontakt z obszarem miedzi na płytce drukowanej pełniącym rolę radiatora (najlepiej jeżeli zostanie przylutowana do ocynowanego obszaru miedzi na PCB). W przypadku gdyby odprowadzanie ciepła okazało się mało efektywne w układzie zadziała wbudowany układ zabezpieczenia termicznego. Po przekroczeniu temperatury obudowy w przedziale 150…175°C układ TLD5085EJ automatycznie wyłączy się zapobiegając w ten sposób zniszczeniu.
Fot. 3. Płytka przetwornicy z TLD5085 zastosowana do zasilania diod N42180 firmy Seoul Semiconductor